ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
44
все уровни энергий внутри ее) оказываются заполненными
электронами. Эта зона носит название заполненной зоны.
Для твердого тела , кроме заполненной зоны, выделяют зону уровней
возбуждения или свободную зону (зона 5, рис.1 б), разделенную
энергетическим барьером для запрещенной зоны (зона 4, рис.1б). В
пределах этого барьера находятся уровни энергии, на которых не могут
находиться электроны.
Зона уровней возбуждения содержит уровни со значительно более
высокими энергиями, чем уровни заполненной зоны. В этой зоне уровни
энергии расположены близко друг к другу и практически можно считать,
что электрон , попавший в эту зону, может изменять свою энергию
непрерывным образом, а следовательно, перемещаться в кристалле под
действием внешнего электрического поля .
Таким образом , при сообщении электронам заполненной зоны
дополнительной энергии, достаточной для перевода их через энергетический
барьер на уровни зоны возбуждения, твердые тела становятся проводящими.
Величина этой дополнительной энергии должна быть, по крайней мере ,
равна ширине энергетического барьера .
Следует отметить, что у электронов, наиболее близко расположенных
к ядру атома, связь с ядром столь велика , что они не могут участвовать в
создании электропроводности. Лишь валентные электроны, наиболее
удаленные от ядра , обладающие также наибольшими энергиями, могут
участвовать в токе проводимости.
У металлов заполненная и свободная зоны непосредственно
примыкают друг к другу , а в некоторых случаях эти зоны взаимно
перекрываются . Поэтому электрон может перейти из первой зоны во вторую ,
получив извне очень небольшую добавочную энергию .
У диэлектриков ширина энергетического барьера соответствует
энергиям 2-10 эВ и для перехода электрона из заполненной зоны в
свободную зону необходимы очень сильные электрические поля или
высокие температуры .
Идеальные полупроводники, в материале которых нет примесей,
характеризуются наличием энергетического
барьера , наибольшая ширина которого значительно
меньше, чем у диэлектриков, и составляет 1-1,5 эВ .
Проводимость, создаваемая в химически
чистом полупроводнике, называется “собственной”
проводимостью , так как является свойством
химически чистого вещества . Все примесные
полупроводники по характеру проводимости
делятся на два вида: n-типа и p-типа в зависимости
от валентности примеси.
Рассмотрим два примера .
Пусть в кристалле германия имеется в виде примеси атом сурьмы.
Атом германия четырехвалентен и имеет на внешней электронной оболочке
четыре электрона. Валентность сурьмы равна пяти. Поэтому замена атома
а )
Рис.2
б)
Е (эн ергия )
Е (эн ергия )
44
все у ровн и эн ергий вн у т ри ее) ока зыва ю т ся за п олн ен н ым и
электрон а м и. Эт а зон а н осит н а зва н ие за п олн ен н ой зон ы.
Д ля т верд ого т ела , кром е за п олн ен н ой зон ы, выд еля ю т зон у у ровн ей
возбу ж д ен ия или свобод н у ю зон у (зон а 5, рис.1 б), ра зд елен н у ю
эн ергет ическим ба рь ером д ля за п рещ ен н ой зон ы (зон а 4, рис.1б). В
п ред ела х эт ого ба рь ера н а х од я т ся у ровн и эн ергии, н а которых н е м огу т
н а х од ить ся электрон ы.
Зон а у ровн ей возбу ж д ен ия сод ерж ит у ровн и со зн а чит ель н о более
высоким и эн ергия м и, чем у ровн и за п олн ен н ой зон ы. В этой зон е у ровн и
эн ергии ра сп олож ен ы близко д ру г к д ру гу и п ра кт ически м ож н о счит а т ь ,
чт о электрон , п оп а вший в эт у зон у , м ож ет изм ен я т ь свою эн ергию
н еп рерывн ым обра зом , а след ова т ель н о, п ерем ещ а т ь ся в крист а лле п од
д ейст вием вн ешн его элект рического п оля .
Т а ким обра зом , п ри сообщ ен ии элект рон а м за п олн ен н ой зон ы
д оп олн ит ель н ой эн ергии, д ост а точн ой д ля п еревод а их через эн ергет ический
ба рь ерн а у ровн и зон ы возбу ж д ен ия , т верд ые т ела ст а н овя т ся п ровод я щ им и.
Величин а эт ой д оп олн итель н ой эн ергии д олж н а быт ь , п о кра йн ей м ере,
ра вн а ширин е эн ергет ического ба рь ера .
С лед у ет от м ет ит ь , что у электрон ов, н а иболее близко ра сп олож ен н ых
к я д ру а т ом а , свя зь с я д ром ст оль велика , чт о он и н е м огу т у ча ст вова т ь в
созд а н ии электроп ровод н ост и. Л ишь ва лен т н ые элект рон ы, н а иболее
у д а лен н ые от я д ра , обла д а ю щ ие т а кж е н а иболь шим и эн ергия м и, м огу т
у ча ствова т ь в токе п ровод им ост и.
У м ет а ллов за п олн ен н а я и свобод н а я зон ы н еп осред ст вен н о
п рим ыка ю т д ру г к д ру гу , а в н екот орых слу ча я х эт и зон ы вза им н о
п ерекрыва ю т ся . П оэтом у электрон м ож ет п ерейт и из п ервой зон ы во вт ору ю ,
п олу чив извн е очен ь н еболь шу ю д оба вочн у ю эн ергию .
У д иэлектриков ширин а эн ергет ического ба рь ера соот вет ст ву ет
эн ергия м 2-10 эВ и д ля п ерех од а электрон а из за п олн ен н ой зон ы в
свобод н у ю зон у н еобх од им ы очен ь силь н ые элект рические п оля или
высокие т ем п ера т у ры.
Ид еа ль н ые п олу п ровод н ики, в м а т ериа ле кот орых н ет п рим есей,
х а ра кт еризу ю т ся н а личием эн ергет ического
ба рь ера , н а иболь ша я ширин а кот орого зн а чит ель н о
м ен ь ше, чем у д иэлект риков, и соста вля ет 1-1,5 эВ.
Е (эн ергия )
Е (эн ергия )
П ровод им ост ь , созд а ва ем а я в х им ически
чистом п олу п ровод н ике, н а зыва ет ся “ собст вен н ой”
п ровод им ость ю , т а к ка к я вля ет ся свойст вом
а) б) х им ически чист ого вещ ест ва . Все п рим есн ые
п олу п ровод н ики п о х а ра кт еру п ровод им ост и
Рис.2
д еля т ся н а д ва вид а : n-т ип а и p-т ип а в за висим ост и
от ва лен т н ост и п рим еси.
Ра ссм отрим д ва п рим ера .
П у сть в крист а лле герм а н ия им еет ся в вид е п рим еси а т ом су рь м ы.
Ат ом герм а н ия чет ырех ва лен т ен и им еет н а вн ешн ей элект рон н ой оболочке
чет ыре электрон а . Ва лен т н ост ь су рь м ы ра вн а п я т и. П оэтом у за м ен а а т ом а
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 42
- 43
- 44
- 45
- 46
- …
- следующая ›
- последняя »
