Составители:
Рубрика:
недостаточна для выхода электронов с поверхности вещества, поэтому
они остаются в веществе в свободном состоянии, увеличивая его прово-
димость и соответственно уменьшая сопротивление.
При включении такого фотоэлемента в цепь с источником постоян-
ного тока (рис. 2.20), сопротивление цепи будет зависеть от светового
потока Ф, падающего на фотоэлемент.
Ф
РС
+
–
51
2
3
4
Рис. 2.19. Устройство
фотосопротивления
Рис. 2.20. Схема включения фото-
сопротивления
Световые характеристики фотосопротивлений типа ФС-К1 и ФС-К2
(сернисто-кадмиевых) изображены на рис. 2.21.
U
1
U
2
U
0
Ток при освещении
i
ф
i
ф
, мА
E, лк
0
1000
50
25
Фототок
Ток в темноте
ФС-К1
ФС-К2
Рис. 2.21. Световые (а) и вольтамперные (б) характеристики двух типов сернисто-
кадмиевых фотосопротивлений
При оценке фотосопротивлений пользуются понятием удель-
ной чувствительности, отнесенной к 1В приложенного напряжения
а
б
недостаточна для выхода электронов с поверхности вещества, поэтому они остаются в веществе в свободном состоянии, увеличивая его прово- димость и соответственно уменьшая сопротивление. При включении такого фотоэлемента в цепь с источником постоян- ного тока (рис. 2.20), сопротивление цепи будет зависеть от светового потока Ф, падающего на фотоэлемент. 4 3 2 1 5 Ф РС + – Рис. 2.19. Устройство Рис. 2.20. Схема включения фото- фотосопротивления сопротивления Световые характеристики фотосопротивлений типа ФС-К1 и ФС-К2 (сернисто-кадмиевых) изображены на рис. 2.21. а iф, мА б Ток при освещении iф 50 ФС-К1 ФС-К2 25 Ток в темноте Фототок U0 0 1000 E, лк U1 U2 Рис. 2.21. Световые (а) и вольтамперные (б) характеристики двух типов сернисто- кадмиевых фотосопротивлений При оценке фотосопротивлений пользуются понятием удель- ной чувствительности, отнесенной к 1В приложенного напряжения
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- …
- следующая ›
- последняя »