Преобразователи неэлектрических величин. Сошинов А.Г. - 27 стр.

К 0 = 1 мка/лм⋅В. Численные значения удельной чувствительности серни-
сто-свинцовых фотосопротивлений равны К0=400-500 мка/лм⋅В, а серни-
сто-кадмиевых – К0=2500-3000 мка/лм⋅В.
      Вентильный фотоэффект заключается в появлении фото-ЭДС на
границе некоторых полупроводников с металлами при воздействии на
них светового потока. Существуют медно-закисные, сернисто-таллиевые,
cepнисто-серебряные и кремниевые вентильные фотоэлементы.
      Кремниевый фотоэлемент (рис. 2.22) изготавливается в виде пла-
стинки 4 из кремния, обладающего п-проводимостью. Пластинка обраба-
тывается парами треххлористого бора, в результате чего на ее поверхно-
сти образуется тонкий слой 1 кремния с р-проводимостью. На тыльную
сторону пластинки на n-слой и р-слой напыляются металлические элек-
троды 2 и 3. При освещении лицевой поверхности пластинки свет по-
глощается в поверхностном слое и в результате чего образуются пары
электрон-«дырка».




    Рис. 2.22. Схема кремниевого фотоэлемента

     Электроны и "дырки" перемещаются к р-п-переходу и на нем разде-
ляются. Электроны свободно проходят через р-п-переход в кремний п-
типа, заряжая пластинку отрицательно; "дырки" остаются в слое кремния
р-типа, заряжая его положительно. Следовательно, между электродами 2
и 3 возникает разность потенциалов. При включении вентильного фото-
элемента в измерительную цепь, в ней будет протекать фототок, завися-
щий от величины светового потока. Световая характеристика фотоэле-
мента (рис. 2.23) линейна при коротком замыкании и нелинейна при на-
грузке в цепи фотоэлемента. Напряжение холостого хода фотоэлемента
может достигать величины 0,5–1 В при освещении его прямым солнечным
светом. В режимах короткого замыкания фотоэлемент вырабатывает ток
около 25 ма/см2, чувствительность его достигает величины K=25 ма/лм.