ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
116
ЗАДАЧИ ДЛЯ ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАНЯТИЙ И САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ
РАБОТЫ
1. Интегральная чувствительность фоторезистора Ко = 5000 мкА/лм при
напряжении U = 10 В. Определить его удельную чувствительность Ко'. Ответ:
Ко' = 500 мкА/лм.В.
2. В каких пределах изменится фототок при изменении светового потока
от Ф
1
= 0.01 лм, до Ф
2
= 0.015 лм. Напряжение на фоторезисторе U = 100 В.
Удельная чувствительность Ко = 2500 мкА/лм.В. Ответ: От I
ф1
= 2.5 мА до I
ф2
=
3.75 мА.
3. При напряжении на фоторезисторе U = 80 В протекает темновой ток Iт
= 10 А. Определить световое сопротивление Rс, если отношение темнового
сопротивления к световому Rт/Rс = 10000. Ответ: Rс = 80000 Ом.
4. Определить начальное статическое сопротивление германиевого
фотодиода R, если темновой ток Iт = 25 мкА. Ответ: R = 40000 Ом.
5. Определить полный ток фотодиода, если на него падает световой
поток Ф = 0.015 лм, интегральная чувствительность Ко = 10 мА/лм, а темновой
ток Iт = 15 мкА. Ответ: I = 0.165 мА.
6. Определите глубину, на которой мощность светового потока
уменьшится в 2 раза. Коэффициент отражения К = 0.3, коэффициент α = 2000
м
-1
. Ответ: х = 0.168 мм.
7. Определите коэффициент отражения, если для слоя образца, толщиной
х = 0.2 мм мощность светового излучения падает в 10 раз. a = 30 м
-1
. Ответ: R =
0.9.
8. Рассчитайте изменение показателя преломления в ячейке Поккельса
(кристалл KH
2
РO
4
толщиной 2 мм) при напряжениях 100, 1000 и 10000 В.
9. Для условий предыдущей задачи рассчитайте угол сдвига фаз
излучения гелий-неонового лазера (632,8 нм).
10. Рассчитайте изменение показателя преломления в ячейке Керра
(кристалл КТаО
3
толщиной 2 мм) при напряжениях 100, 1000, 10000 В.
11. Для условий предыдущей задачи определите угол сдвига фаз между
обыкновенным и необыкновенным лучами.
12. Рассчитайте полуволновое напряжение электрооптического
модулятора на эффекте Поккельса (кристалл KH
2
РO
4
толщиной 2 мм) для
излучения длиной волны 1,3 мкм.
ЗАДАЧИ ДЛЯ ПРАКТИЧЕСКИХ ЗАНЯТИЙ И САМОСТОЯТЕЛЬНОЙ РАБОТЫ 1. Интегральная чувствительность фоторезистора Ко = 5000 мкА/лм при напряжении U = 10 В. Определить его удельную чувствительность Ко'. Ответ: Ко' = 500 мкА/лм.В. 2. В каких пределах изменится фототок при изменении светового потока от Ф1 = 0.01 лм, до Ф2 = 0.015 лм. Напряжение на фоторезисторе U = 100 В. Удельная чувствительность Ко = 2500 мкА/лм.В. Ответ: От Iф1 = 2.5 мА до Iф2 = 3.75 мА. 3. При напряжении на фоторезисторе U = 80 В протекает темновой ток Iт = 10 А. Определить световое сопротивление Rс, если отношение темнового сопротивления к световому Rт/Rс = 10000. Ответ: Rс = 80000 Ом. 4. Определить начальное статическое сопротивление германиевого фотодиода R, если темновой ток Iт = 25 мкА. Ответ: R = 40000 Ом. 5. Определить полный ток фотодиода, если на него падает световой поток Ф = 0.015 лм, интегральная чувствительность Ко = 10 мА/лм, а темновой ток Iт = 15 мкА. Ответ: I = 0.165 мА. 6. Определите глубину, на которой мощность светового потока уменьшится в 2 раза. Коэффициент отражения К = 0.3, коэффициент α = 2000 м-1. Ответ: х = 0.168 мм. 7. Определите коэффициент отражения, если для слоя образца, толщиной х = 0.2 мм мощность светового излучения падает в 10 раз. a = 30 м-1. Ответ: R = 0.9. 8. Рассчитайте изменение показателя преломления в ячейке Поккельса (кристалл KH2РO4 толщиной 2 мм) при напряжениях 100, 1000 и 10000 В. 9. Для условий предыдущей задачи рассчитайте угол сдвига фаз излучения гелий-неонового лазера (632,8 нм). 10. Рассчитайте изменение показателя преломления в ячейке Керра (кристалл КТаО3 толщиной 2 мм) при напряжениях 100, 1000, 10000 В. 11. Для условий предыдущей задачи определите угол сдвига фаз между обыкновенным и необыкновенным лучами. 12. Рассчитайте полуволновое напряжение электрооптического модулятора на эффекте Поккельса (кристалл KH2РO4 толщиной 2 мм) для излучения длиной волны 1,3 мкм. 116
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 111
- 112
- 113
- 114
- 115
- …
- следующая ›
- последняя »