ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
117
13. Покажите, что при управляющем напряжении, равном полу-
волновому, достигается максимальная глубина модуляции.
14. Постройте и проанализируйте зависимость отношения входного и
выходного сигналов от управляющего напряжения при полуволновом
напряжении 1000 В.
15. Проведите анализ зависимости числовой апертуры световода от
величины показателя преломления внутренней жилы и оболочки, используя
конкретные справочные данные.
16. Во сколько раз ослабнет сигнал в световоде длиной 500 м, если
коэффициент затухания составляет 2 дБ/км.
17. Пользуясь цветовым графиком МКО, определите для координат Х =
0,4, Y = 0,3 цветовую тональность и цветовую насыщенность излучения.
РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
1. Пихтин А.Н. Физические основы квантовой электроники и
оптоэлектроники.- М.:Высш.шк., 1983. - 304 с.
2. Окоси Т. Оптическая электроника и связь.- М.:Мир,1988. -96 с.
3. Носов Ю.Р. Оптоэлектроника.- М.:Сов.радио, 1977.-232 с.
4. Полупроводниковые фотоприемники. Под ред. В.И.Стафеева.- М.:
Радио и связь,1984. -216 с.
5. Дьюли У. Лазерная технология и анализ материалов. -М.: Мир,1986. -
504 с.
6. Физические величины. Справочник/ Под ред. И.С.Григорьева,
Е.З.Мейлихова. -М.:Энергоатомиздат,1991.
7. Основы оптоэлектроники: Пер. с японского. -М.:Мир, 1988. -284 с.
8. Светцов В.И. Вакуумная и плазменная электроника. Учеб. пособие.
Иван. гос. хим.-технол. ун-т.- Иваново, 2003. -172 с.
13. Покажите, что при управляющем напряжении, равном полу- волновому, достигается максимальная глубина модуляции. 14. Постройте и проанализируйте зависимость отношения входного и выходного сигналов от управляющего напряжения при полуволновом напряжении 1000 В. 15. Проведите анализ зависимости числовой апертуры световода от величины показателя преломления внутренней жилы и оболочки, используя конкретные справочные данные. 16. Во сколько раз ослабнет сигнал в световоде длиной 500 м, если коэффициент затухания составляет 2 дБ/км. 17. Пользуясь цветовым графиком МКО, определите для координат Х = 0,4, Y = 0,3 цветовую тональность и цветовую насыщенность излучения. РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА 1. Пихтин А.Н. Физические основы квантовой электроники и оптоэлектроники.- М.:Высш.шк., 1983. - 304 с. 2. Окоси Т. Оптическая электроника и связь.- М.:Мир,1988. -96 с. 3. Носов Ю.Р. Оптоэлектроника.- М.:Сов.радио, 1977.-232 с. 4. Полупроводниковые фотоприемники. Под ред. В.И.Стафеева.- М.: Радио и связь,1984. -216 с. 5. Дьюли У. Лазерная технология и анализ материалов. -М.: Мир,1986. - 504 с. 6. Физические величины. Справочник/ Под ред. И.С.Григорьева, Е.З.Мейлихова. -М.:Энергоатомиздат,1991. 7. Основы оптоэлектроники: Пер. с японского. -М.:Мир, 1988. -284 с. 8. Светцов В.И. Вакуумная и плазменная электроника. Учеб. пособие. Иван. гос. хим.-технол. ун-т.- Иваново, 2003. -172 с. 117