ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
66
тока обычно составляют величину порядка нескольких кА/см
2
. Так, пороговая
плотность тока лазера на GaInAsP/InP равна 1 кА/см
2
при ширине активной
области 0,1 - 0,15 мкм. Мощность полупроводниковых лазеров в непрерывном
режиме при комнатной температуре обычно составляет единицы - десятки
милливатт.
Весьма перспективными могут быть лазеры на p-i-n (p-n-n
+
) структурах с
гетеропереходами, так как последние отличаются высоким отношением
инжекционных токов из широкозонного полупроводника в узкозонный к
обратному. В последние годы разработаны ряд лазеров для синей области
спектра. Так лазер на нитриде галлия имеет пороговую плотность тока 4
кА/см
2
, мощность более 200 мВт при квантовом выходе до 13%. Длина волны
излучения составляет 417 нм, ширина линии излучения 1,6 нм. Перспективным
материалом для лазеров в синей области является карбид кремния, ширина зап-
рещенной зоны в котором составляет 2,9 - 3,3 эВ.
Определенный интерес представляют полупроводниковые лазеры с
накачкой электронным пучком высокой энергии. Генерация при
бомбардировке быстрыми электронами наблюдается во многих
полупроводниках. Так CdS дает зеленое свечение, CdSe - красное, ZnSe -
голубое. В ближней ИК области перспективны GaAs и CdTe. Конструктивно
полупроводниковые лазеры с электронным возбуждением выполняются в виде
электронно-лучевой трубки с полупроводниковым материалом в качестве
экрана-мишени. По сравнению с инжекционной накачкой возбуждение
электронным лучом имеет следующие достоинства:
- высокие мощности излучения благодаря возбуждению значительной
толщины кристалла;
- возможность использования широкого ряда полупроводниковых
материалов, так как в этом типе лазеров не требуется n-p переход;
- простота двухкоординатного сканирования и высокая скорость
модуляции;
- возможность управляемой перестройки длины волны излучения,
многоцветность, которую можно реализовать при использовании варизонных
полупроводников.
Недостатки лазеров с возбуждением электронным лучом во многом те
же, что и у электронно-лучевой трубки: наличие вакуумированного объема,
значительные габариты, сложность и громоздкость систем питания. Тем не
менее, для проекционного телевидения, для решения ряда задач
тока обычно составляют величину порядка нескольких кА/см2. Так, пороговая плотность тока лазера на GaInAsP/InP равна 1 кА/см2 при ширине активной области 0,1 - 0,15 мкм. Мощность полупроводниковых лазеров в непрерывном режиме при комнатной температуре обычно составляет единицы - десятки милливатт. Весьма перспективными могут быть лазеры на p-i-n (p-n-n+) структурах с гетеропереходами, так как последние отличаются высоким отношением инжекционных токов из широкозонного полупроводника в узкозонный к обратному. В последние годы разработаны ряд лазеров для синей области спектра. Так лазер на нитриде галлия имеет пороговую плотность тока 4 кА/см2, мощность более 200 мВт при квантовом выходе до 13%. Длина волны излучения составляет 417 нм, ширина линии излучения 1,6 нм. Перспективным материалом для лазеров в синей области является карбид кремния, ширина зап- рещенной зоны в котором составляет 2,9 - 3,3 эВ. Определенный интерес представляют полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком высокой энергии. Генерация при бомбардировке быстрыми электронами наблюдается во многих полупроводниках. Так CdS дает зеленое свечение, CdSe - красное, ZnSe - голубое. В ближней ИК области перспективны GaAs и CdTe. Конструктивно полупроводниковые лазеры с электронным возбуждением выполняются в виде электронно-лучевой трубки с полупроводниковым материалом в качестве экрана-мишени. По сравнению с инжекционной накачкой возбуждение электронным лучом имеет следующие достоинства: - высокие мощности излучения благодаря возбуждению значительной толщины кристалла; - возможность использования широкого ряда полупроводниковых материалов, так как в этом типе лазеров не требуется n-p переход; - простота двухкоординатного сканирования и высокая скорость модуляции; - возможность управляемой перестройки длины волны излучения, многоцветность, которую можно реализовать при использовании варизонных полупроводников. Недостатки лазеров с возбуждением электронным лучом во многом те же, что и у электронно-лучевой трубки: наличие вакуумированного объема, значительные габариты, сложность и громоздкость систем питания. Тем не менее, для проекционного телевидения, для решения ряда задач 66
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 61
- 62
- 63
- 64
- 65
- …
- следующая ›
- последняя »