Оптическая и квантовая электроника. Светцов В.И. - 64 стр.

оптоэлектроники     (сверхскоростные     системы     ввода    информации,
быстродействующие голографические запоминающие устройства) лазер с
электронным возбуждением может оказаться наиболее эффективным.
      Сопоставление основных типов лазеров показывает, что базовым для
оптоэлектроники является инжекционный полупроводниковый лазер. Создание
лазерных гетероструктур и разработка приборов на их основе позволили резко
снизить пороговые плотности тока, увеличить КПД инжекционных лазеров. В
лазерах с распределенной обратной связью удачно решены задачи селекции
типов колебаний, улучшения диаграммы направленности излучения.
      В применениях, требующих большой импульсной мощности излучения,
наилучшие перспективы имеют твердотельные лазеры. Газовые лазеры
неизменно остаются вне конкуренции во всех устройствах и системах, где
определяющим фактором является высокая монохроматичность излучения.

         2.3. ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИЕМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ
     Взаимодействие оптического излучения с полупроводниками может
сопровождаться преобразованием световой энергии в электрическую на основе
фоторезистивного или фотогальванического эффектов. Созданные на этом
принципе приборы являются приемниками излучения.
       2.3.1. Поглощение оптического излучения полупроводниками
     Оптическое       излучение  при    взаимодействии    с   кристаллом
полупроводника частично поглощается, частично отражается от его поверх-
ности или проходит через кристалл. Мощность излучения по мере
прохождения через кристалл убывает по экспоненциальному закону:
     Iх = I0(1-R)exp(-αx)                                        (2.3)
     где I0 -падающая мощность светового излучения, R - коэффициент
отражения, α - коэффициент поглощения.
     Зависимость коэффициента поглощения от длины волны падающего
излучения называется спектром поглощения. Типичный спектр поглощения
полупроводников показан на рис 2.3.




                                   67