Оптическая и квантовая электроника. Светцов В.И. - 66 стр.

- экситон. Влияние экситонного поглощения на электропроводность
полупроводника может быть только косвенным.
- спектр решеточного поглощения (область 5) расположен в дальней
инфракрасной области и сопровождается повышением температуры
полупроводника.
       - Поглощение энергии свободными носителями (область 6) сопро-
вождается энергетическими переходами последних в пределах разрешенных
зон, что дает непрерывный спектр поглощения в инфракрасной области.
       В полупроводниковых фотоприборах чаще всего используются эффекты,
связанные с собственным поглощением света.
            2.3.2. Фоторезистивный эффект и приборы на его основе
       При фоторезистивном эффекте происходит изменение электропровод-
ности полупроводника под действием света, связанное с генерацией
неравновесных носителей заряда (собственное или примесное поглощение).
Фоторезистивный эффект используется в одноименных приборах,
применяемых в оптоэлектронных парах, приемниках инфракрасного излучения
и т.д.
       Тепловое сопротивление фоторезисторов обычно составляет 106 - 107 Ом
и экспоненциально уменьшается с увеличением температуры, поэтому
приборы на основе узкозонных и примесных полупроводников для
инфракрасной области спектра необходимо охлаждать жидким азотом. В
качестве материала фоторезисторов используются в основном сульфиды,
теллуриды и селениды кадмия, висмута, свинца. Спектральные характеристики
ФС имеют максимум, положение которого на шкале длин волн зависит от
природы полупроводникового материала. Световые характеристики их в
общем случае описываются уравнением:
       I = кФn                                                     (2.4)
       Рабочая область выбирается в диапазоне условий, при которых n = 1
(сравнительное небольшое отношение фотопроводимости к тепловой). Вольт-
амперные характеристики фотосопротивлений линейны в широком диапазоне
условий. Отклонения наблюдаются только при малых или очень больших
напряжениях.
       Оптимальная толщина фоточувствительного слоя обычно близка
обратной величине коэффициента поглощения света. Последняя составляет 105
- 106 см-1 для собственного и около 103 см-1 для примесного поглощения. К
преимуществам фоторезисторов следует отнести относительную простоту и

                                    69