Оптическая и квантовая электроника. Светцов В.И. - 68 стр.

UptoLike

Составители: 

71
U
хх
- напряжение холостого хода.
Отметим, что напряжение холостого хода не может быть больше кон-
тактной разности потенциалов, ибо в противном случае поле в переходе
компенсируется полностью и разделение зарядов прекращается. При
замыкании освещенного n-р перехода во внешней цепи появляется фототок
короткого замыкания, пропорциональный скорости генерации неравновесных
носителей. При малых световых потоках фототок меньше темнового тока и
разложение уравнения (2.4) в ряд дает прямопропорциональную связь между
напряжением холостого хода и световым потоком.
При больших световых потоках единицей в уравнении (2.4) можно
пренебречь, тогда напряжение холостого хода увеличивается со световым
потоком по логарифмическому закону.
Вольт-амперные характеристики освещенного идеализированного n-p
перехода приведены на рис.2.4. Как видно из ВАХ, фотоэлектрические
приборы с n-р переходом могут работать в двух режимах - фотовентильном
(при отсутствии внешнего напряжения происходит генерация фотоЭДС) и
фотодиодном (на переход подается обратное напряжение и освещение
вызывает увеличение тока).
Рис.2.4. Вольт-амперные характеристики идеализированного n-р перехода при
различных интенсивностях падающего света.
U
I
Ф=0
Ф
1
Ф
2
Ф
3
     Uхх - напряжение холостого хода.
     Отметим, что напряжение холостого хода не может быть больше кон-
тактной разности потенциалов, ибо в противном случае поле в переходе
компенсируется полностью и разделение зарядов прекращается. При
замыкании освещенного n-р перехода во внешней цепи появляется фототок
короткого замыкания, пропорциональный скорости генерации неравновесных
носителей. При малых световых потоках фототок меньше темнового тока и
разложение уравнения (2.4) в ряд дает прямопропорциональную связь между
напряжением холостого хода и световым потоком.
     При больших световых потоках единицей в уравнении (2.4) можно
пренебречь, тогда напряжение холостого хода увеличивается со световым
потоком по логарифмическому закону.
     Вольт-амперные характеристики освещенного идеализированного n-p
перехода приведены на рис.2.4. Как видно из ВАХ, фотоэлектрические
приборы с n-р переходом могут работать в двух режимах - фотовентильном
(при отсутствии внешнего напряжения происходит генерация фотоЭДС) и
фотодиодном (на переход подается обратное напряжение и освещение
вызывает увеличение тока).


                                    I




                 Ф=0                                       U
                   Ф1
                    Ф2
                    Ф3



Рис.2.4. Вольт-амперные характеристики идеализированного n-р перехода при
                различных интенсивностях падающего света.



                                   71