Оптическая и квантовая электроника. Светцов В.И. - 70 стр.

 Рис.2.5. Влияние ширины запрещенной зоны на КПД и выходную мощность
          солнечных элементов на основе кремния и арсенида галлия.

                              2.3.5. Фотодиоды
      Простейший фотодиод представляет собой n-р переход, на который
подано обратное напряжение, и ток через структуру является функцией
интенсивности света (рис.2.4). Световые характеристики фотодиодов линейны
в широком диапазоне условий, что выгодно отличает их от фоторезисторов.
Темновое сопротивление фотодиода может быть больше, чем у фоторезистора,
поскольку оно определяется обратным током n-р перехода, имеющим,
особенно для кремния, малую величину.
      Спектральная характеристика фотодиодов имеет максимум. Длин-
новолновая граница спектральной чувствительности определяется шириной
запрещенной полосы полупроводника, а коротковолновая зависит от ширины
базы и скорости поверхностной рекомбинации и может быть расширена за счет
конструкционно-технологических решений. Параметры фотодиодов зависят от
эффективности генерации и разделения зарядов, а также от возможности
усиления фототока непосредственно в приборе. Рассмотренный выше
простейший фотодиод работает на сплавном или диффузионном n-р переходе.
Существуют также диоды на многослойных структурах (р-i-n),
                                   73