Оптическая и квантовая электроника. Светцов В.И. - 72 стр.

эффект), так и за счет изменения параметров, определяющих распределение
неравновесных носителей в базовой области, таких как время жизни и
биполярная подвижность носителей заряда. Поскольку n-р-переход включен в
прямом направлении последовательно с сопротивлением базы, то изменение
последнего приводит к увеличению тока инжекции и дальнейшему снижению
сопротивления базы. Таким образом обеспечивается усиление первичного
фототока, причем вклад инжектированных носителей в увеличение
интегральной проводимости во много раз превышает вклад носителей,
генерируемых световым облучением. В качестве базы используются
высокоомные скомпенсированные полупроводники (полуизоляторы), например
германий, компенсированный золотом, ртутью, медью или кремний,
содержащий глубокие уровни цинка, бора и др. Усиление фототока в
инжекционных фотодиодах может достигать нескольких порядков величины, а
чувствительность 100 А/лм.

                2.3.6. Фототранзисторы и фототиристоры
      Фототранзистор - это полупроводниковый фотоприбор с двумя или
более   n-р   переходами.    Области    применения    фототранзисторов -
чувствительные элементы оптопар и фотоприемников, в том числе элементы
приемного модуля волоконно-оптических линий связи и т.д. Различают
биполярные и полевые фототранзисторы. Устройство биполярного
фототранзистора и его выходные характеристики показаны нa рис 2.6.




Рис 2.6. Устройство (а), схема (б) и выходные характеристики (в) биполярного
                               фототранзистора


                                    75