Оптическая и квантовая электроника. Светцов В.И. - 73 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

76
Фототранзистор обычно включается по схеме с общим эмиттером, база
свободна. Световое облучение вызывает генерацию носителей заряда в
области базы коллекторного перехода. Эти носители разделяются полем
коллекторного перехода следующим образом: неосновные носители проходят
через переход и создают коллекторный фототок, а основные накапливаются в
базе, частично компенсируя заряд неподвижных ионов примесей вблизи
эмиттерного перехода. При этом потенциальный барьер эмиттерного перехода
снижается и происходит инжекция носителей из эмиттера в базу.
Инжектированные носители диффундируют через базу и проходят
коллекторный переход, создавая ток, многократно превышающий первичный
фототок. Общий ток коллектора - это сумма фототока неосновных носителей
заряда и тока, создаваемого инжектированными эмиттером носителями. Общий
коэффициент усиления транзистора соответствует статическому коэффициенту
передачи по току в схеме с О.Э. Световые характеристики биполярных
фототранзисторов линейны только в ограниченной области световых потоков.
К фототранзисторам может быть отнесен и фототиристор - че-
тырехслойная структура, работающая в ключевом режиме и управляемая
световым потоком.
Существует много различных структур полевых фототранзисторов с n-р
переходом или МДП - типа. Один из вариантов показан на рис.2.7.
Рис.2.7. МДП-фототранзистор со встроенным затвором
n
+
n
-
+
-
Э
С
И
Ф
R
н.тр
U
вых
+Е
с
R
Н
Е
      Фототранзистор обычно включается по схеме с общим эмиттером, база
свободна. Световое облучение вызывает генерацию носителей заряда в
области базы коллекторного перехода. Эти носители разделяются полем
коллекторного перехода следующим образом: неосновные носители проходят
через переход и создают коллекторный фототок, а основные накапливаются в
базе, частично компенсируя заряд неподвижных ионов примесей вблизи
эмиттерного перехода. При этом потенциальный барьер эмиттерного перехода
снижается и происходит инжекция носителей из эмиттера в базу.
      Инжектированные носители диффундируют через базу и проходят
коллекторный переход, создавая ток, многократно превышающий первичный
фототок. Общий ток коллектора - это сумма фототока неосновных носителей
заряда и тока, создаваемого инжектированными эмиттером носителями. Общий
коэффициент усиления транзистора соответствует статическому коэффициенту
передачи по току в схеме с О.Э. Световые характеристики биполярных
фототранзисторов линейны только в ограниченной области световых потоков.
      К фототранзисторам может быть отнесен и фототиристор - че-
тырехслойная структура, работающая в ключевом режиме и управляемая
световым потоком.
      Существует много различных структур полевых фототранзисторов с n-р
переходом или МДП - типа. Один из вариантов показан на рис.2.7.
                                                +Ес


                                                 Rн.тр

                                        +
                                            С
                                    n                 Uвых
                      Э
                                                Ф

                RН                  n-
                                            И
                      -
                 ЕЭ +



           Рис.2.7. МДП-фототранзистор со встроенным затвором

                                  76

Страницы