Оптическая и квантовая электроника. Светцов В.И. - 79 стр.

                     Fа
                     Fп
                    1,0

                    0,8

                    0,6

                    0,4

                    0,2

                    0,0
                                                        U

 Рис.2.10. Влияние управляющего напряжения на интенсивность излучения на
                   выходе электрооптического модулятора

      Граничная частота электрооптического модулятора составляет 108 - 109
Гц.
     Магнитооптические модуляторы на основе эффекта Фарадея при-
меняются редко, так как имеют малое быстродействие, малую глубину
модуляции и заметно поглощают оптическое излучение.
     Для применения в микрооптоэлектронике наиболее перспективны
тонкопленочные модуляторы, которые отличаются от массивных более
высоким быстродействием и малыми управляющими напряжениями (порядка
нескольких вольт), что делает их хорошо совместимыми с микроэлектронными
устройствами. Такие модуляторы изготовляются из ниобата и танталата лития.
     В    качестве     тонкопленочных     электрооптических   модуляторов
применяются и полупроводники. Линейный электрооптический эффект в
полупроводниковых n - р переходах возникает при приложении обратного
напряжения из-за изменения концентрации свободных носителей, что
приводит к изменению диэлектрической проницаемости и коэффициента
преломления. В тонкопленочных структурах на основе арсенида галлия или
фосфида индия управляющее напряжение составляет единицы вольт.

                                    82