Оптическая и квантовая электроника. Светцов В.И. - 80 стр.

      В полупроводниковых структурах реализуется и принцип модуляции
интенсивности излучения. Интенсивность излучения в полупроводнике
затухает экспоненциально, при этом глубина модуляции 0,6 - 0,7 достигается
при изменении коэффициента поглощения в 10 раз. В полупроводниковых
модуляторах, основанных на поглощении излучения свободными носителями
заряда, концентрация носителей регулируется инжекцией носителей через n - р
переход. Преимущества таких модуляторов состоят в малых рабочих
напряжениях, простоте, надежности и высокой технологичности конструкции.
К недостаткам следует отнести влияние изменения концентрации носителей
при модуляции на другие электрофизические параметры структуры.
                            2.4.3. Дефлекторы
      Дефлектор    представляет     собой    устройство     для   изменения
пространственного положения лазерного луча. Наибольшее применение в
оптоэлектронике находят электрооптические и акустооптические дефлекторы.
Схема электрооптического дефлектора показана на рис.2.11. Он представляет
собой многокаскадное устройство. Каждый каскад состоит из оптического
модулятора поляризации 1 и двулучепреломляющего кристалла 2. С помощью
модулятора обеспечивается плавное изменение поляризации излучения по
заданному закону. В кристалле 2 излучение раздваивается, и эти процессы пов-
торяются в каждом каскаде.
          1-й каскад          2-й каскад          3-й каскад




           1       2



          UУПР1               UУПР2               UУПР3
               Рис.2.11. Схема электрооптического дефлектора

       В зависимости от комбинации управляющих напряжений можно
получить 2i дискретных положений в пространстве луча на выходе дефлектора
(i - число каскадов). Общее число положений луча в пространстве, достижимое
в электрооптическом дефлекторе, составляет

                                      83