Вакуумная и плазменная электроника. Светцов В.И. - 13 стр.

UptoLike

Составители: 

13
2. Спектральная чувствительность, отражающая зависимость
квантового выхода фотокатода от длины волны падающего света. Последняя
обычно имеет вид кривой с одним или двумя максимумами.
Металлы как материал фотокатодов, как правило, не используются из-за
малого квантового выхода (10
-4
- 10
-5
эл/квант) и расположения красной
границы фотоэффекта многих металлов в ультрафиолетовой области
спектра. Наибольшее распространение в технике получили сложные
полупроводниковые системы (сурьмяно-цезиевый, кислородно-цезиевый,
мультищелочные фотокатоды).
Кислородно-цезиевый фотокатод отличается широким спектральным
диапазоном (200-1100 нм) при сравнительно малом квантовом выходе (0.01-
0.03 эл/квант).
Рис. 1.5.Спектральные характеристики фотокатодов
Сурьмяно-цезиевый фотокатод работает в более узком спектральном
диапазоне (200-700 нм), но квантовый выход его достигает 0.3.
Существенное расширение спектрального диапазона при высоком квантовом
выходе достигнуто в сурьмяно-мультищелочных фотокатодах (200-1000 нм),
которые широко используются в современных фотоэлектронных
умножителях и других фотоэлектронных приборах.
Спектральную характеристику, близкую к кривой видимости глаза,
имеет висмуто-серебряно-цезиевый катод.
Перспективными материалами для фотокатодов являются соединения
типа А
3
В
5
, активированные щелочными металлами (GаАs-Сs
2
О-Сs; InAsP-
Cs
2
О-Сs ), которые имеют высокую чувствительность в инфракрасной
области спектра.
Катоды фотоэлектронных приборов конструктивно изготовляют
массивными или полупрозрачными. Массивные фотокатоды представляют
собой плёнки толщиной до нескольких долей микрометра и освещаются со
стороны эмитирующей поверхности. Полупрозрачные фотокатоды имеют
толщину 20-30 нм и облучаются светом с тыльной стороны через
стеклянную подложку, являющуюся частью оболочка прибора. Толщина
полупрозрачного фотокатода подбирается таким образом, чтобы обеспечить
максимальное поглощение излучения на такой глубине от эмитирующей
I
λ
     2.   Спектральная   чувствительность,    отражающая     зависимость
квантового выхода фотокатода от длины волны падающего света. Последняя
обычно имеет вид кривой с одним или двумя максимумами.
     Металлы как материал фотокатодов, как правило, не используются из-за
малого квантового выхода (10-4 - 10-5 эл/квант) и расположения красной
границы фотоэффекта многих металлов в ультрафиолетовой области
спектра. Наибольшее распространение в технике получили сложные
полупроводниковые системы (сурьмяно-цезиевый, кислородно-цезиевый,
мультищелочные фотокатоды).
     Кислородно-цезиевый фотокатод отличается широким спектральным
диапазоном (200-1100 нм) при сравнительно малом квантовом выходе (0.01-
0.03 эл/квант).


            I



                                                        λ

            Рис. 1.5.Спектральные характеристики фотокатодов

    Сурьмяно-цезиевый фотокатод работает в более узком спектральном
диапазоне (200-700 нм), но квантовый выход его достигает 0.3.
Существенное расширение спектрального диапазона при высоком квантовом
выходе достигнуто в сурьмяно-мультищелочных фотокатодах (200-1000 нм),
которые широко используются в современных фотоэлектронных
умножителях и других фотоэлектронных приборах.
    Спектральную характеристику, близкую к кривой видимости глаза,
имеет висмуто-серебряно-цезиевый катод.
    Перспективными материалами для фотокатодов являются соединения
типа А3В5, активированные щелочными металлами (GаАs-Сs2О-Сs; InAsP-
Cs2О-Сs ), которые имеют высокую чувствительность в инфракрасной
области спектра.
    Катоды фотоэлектронных приборов конструктивно изготовляют
массивными или полупрозрачными. Массивные фотокатоды представляют
собой плёнки толщиной до нескольких долей микрометра и освещаются со
стороны эмитирующей поверхности. Полупрозрачные фотокатоды имеют
толщину 20-30 нм и облучаются светом с тыльной стороны через
стеклянную подложку, являющуюся частью оболочка прибора. Толщина
полупрозрачного фотокатода подбирается таким образом, чтобы обеспечить
максимальное поглощение излучения на такой глубине от эмитирующей
                                   13