Вакуумная и плазменная электроника. Светцов В.И. - 14 стр.

поверхности, при которой значительная часть возбуждённых фотонами
электронов может достичь этой поверхности, сохранив энергию,
достаточную для выхода в вакуум.
    Простейшим      прибором,    в   котором    используется   явление
фотоэлектронной эмиссии, является фотоэлемент, состоящий из фотокатода,
анода и вакуумной оболочки. В последнюю входит и подложка фотокатода
или оптическое окно. Фотокатоды применяются также в качестве элемента
ряда электронных приборов - фотоумножителей, электронно-оптических
преобразователей, передающих электронно-лучевых трубок и др.

                 1.2.5. Вторичная электронная эмиссия

    Бомбардировка вещества потоком электронов вызывает испускание
вторичных электронов. Отношение числа выбитых и отраженных электронов
к числу падающих электронов называется коэффициентом вторичной
электронной эмиссии и обозначается σ. Первичные электроны,
бомбардирующие поверхность, теряют свою энергию по мере перемещения в
твёрдом теле в соответствии с законом Виддингтона:
            Ex2 = E02 - α⋅х                                        (1.25)
    Ex - энергия электрона, проникшего в глубь вещества на расстояние х;
    α - постоянная Виддингтона;
    E0 - начальная энергия электронов.
    Энергия, передаваемая от первичных электронов к вторичным,
расходуется последними на перемещение к поверхности твёрдого тела и
преодоление потенциального барьера на границе с вакуумом. Зависимость
коэффициента вторичной эмиссии σ от энергии первичных электронов
изображена на рис. 1.6.
    В реальных приборах ускоряющее напряжение подбирается таким,
чтобы обеспечить максимальную величину коэффициента σ. Коэффициент
вторичной эмиссии чистых металлов обычно не превышает 2, поэтому их
использование в качестве технических эмиттеров нецелесообразно.
    Практическое применение находят сложные эмиттеры, для которых
коэффициент σ достигает 20.
    Широкое распространение в качестве материала вторичных эмиттеров
получили сплавы СuМgАl, АlВеSi. Эффективность такого эмиттера
определяется тонким слоем оксида щелочноземельного металла (МgО, ВеО),
создаваемого путём активировки в окислительной среде.




                                   14