Вакуумная и плазменная электроника. Светцов В.И. - 16 стр.

           К = (g σ)n,                                           (1.26)
где n - число динодов (обычно от 7 до 14); g - эффективность сбора
электронов каждым каскадом усиления (0,7-0,95).
    Материал динода обычно имеет σ = 3-8, что позволяет достичь общего
коэффициента усиления от 103 до 108. При измерении малых световых
потоков важным параметром ФЭУ является темновой ток, величина
которого зависит от термоэлектронной эмиссии катода, утечек в приборе и
других факторов.
    Простейшая система на распределенных динодах представляет собой
трубку, внутренняя поверхность которой имеет высокое электрическое
сопротивление и выполнена из материала с большим коэффициентом
вторичной эмиссии (рис. 1.8).
    Фотоэлектроны выбивают из внутренней поверхности трубки
вторичные электроны, которые ускоряются внешним полем и попадая на
другие участки трубки, выбивают новые электроны. Трубки с отношением
длины к диаметру 50 ÷ 100 при напряжении 2 ÷ 2,5 кВ имеют коэффициент
усиления К = 104 ÷ 106. Канальные системы не требуют внешнего делителя
напряжения, имеют простую конструкцию и малые размеры.




 Рис. 1.8. Схема распределенной системы вторичного усиления электронов

                    1.2.6. Автоэлектронная эмиссия

    Автоэлектронная эмиссия возникает при наличии сильного
электрического поля. Внешнее электрическое поле приводит не только к
снижению, но и к сужению потенциального барьера на границе металл-
вакуум (рис. 1.9.) Условием возникновения автоэлектронной эмиссии
является соизмеримость ширины потенциального барьера с длиной волны
Де Бройля для электронов:
          d ≅ λD                                                  (1.27)
    Для       выполнения этого условия необходима напряженность
электрического поля порядка 106 - 107 В/см. Такие значения напряженности

                                   16