Технология радиоэлектронных средств. Ч.1. Светличный А.М - 43 стр.

UptoLike

43
3
6
1
2
4
5
7
8
Рис.П1.3
Нанесение пленки двуокиси кремния на пластины германия
методом пиролитического разложения можно проводить
пропусканием аргона через питатель 10 с этилсиликатом Для
проведения процессов диффузии и окисления технологические
газы должны быть очищены от паров воды и кислорода в
газоочистителе 9. При термической обработке
полупроводниковые пластины 3 закладывают в специальные
лодочки из кварца, которые представляют
собой блоки с пазами
для размещения пластин. Чтобы обеспечить лучшую устой-
чивость, с нижней стороны пластины срезают сегменты.
.