Защита электронных средств от механических воздействий. Теоретические основы. Талицкий Е.Н. - 142 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

мой в образце, и косвенные, направленные на получение относительных
характеристик рассеяния энергии.
К прямым методам относятся методы энергетический, термический,
петли гистерезиса, к косвенным – метод резонансных колебаний, метод
свободных затухающих колебаний, фазовый метод. Наибольшее распро-
странение при исследовании демпфирующих свойств радиотехнических
материалов и конструкций в настоящее время нашли косвенные методы,
которые более подробно рассмотрены в настоящем пособии.
Метод резонансных колебаний. Метод основан на зависимости шири-
ны резонансной кривой от величины демпфирования. Коэффициент меха-
нических потерь можно найти по формуле [6] .
0
7,0
70
η
f
f
K
,
∆
=
,
где
- ширина резонансной кривой
на уровне 0,707 от максимальной ам-
плитуды (рис. 6.16);
70,
f∆
0
f
- резонансная частота,
70,
K - коэффициент нелинейности, оп-
ределяемый по формуле
12
2
1
7,0
−
=
−
n
n
K
.
Параметр
, характеризующий за-
висимость демпфирующих свойств от
амплитуды колебаний, находится по
формуле
n
2ln
2ln
1
2
7,0
5,0
⎥
⎥
⎦
⎤
⎢
⎢
⎣
⎡
−
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
∆
∆
−=
f
f
n
,
где
- ширина резонансной кривой на уровне 0,5 от максимальной
амплитуды (рис. 6.16).
50,
f∆
U
max
U
0,707
U
max
0,5
U
max
f
0
∆
f
0,7
∆
f
0,5
Рис .
6.16 Резонансная кривая
Например, если демпфированный амплитудно независимо (
=1), то
n
7,0
K
=1 и
0
7,0
η
f
f
∆
=
. (6.8)
142

Страницы