Защита электронных средств от механических воздействий. Теоретические основы. Талицкий Е.Н. - 144 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

где
ρ
- плотность материала; l, d - длина незакрепленной части и толщи-
на образца;
on
a
- числовой коэффициент, который для первых трех собственных форм
колебаний равен
;
875,1
01
=a 694,4
02
=
a
;
855,7
03
=
a
.
Для испытаний низкомодульных материалов (Е <
Па) их необхо-
димо наклеивать на металлическую, обычно стальную основу. Образец
такого типа показан на рис. 6.19. КПМ и ДМУ рассчитываются по форму-
лам
7
101⋅
B
B
нк
1
1
ηη
η
−
−
=
;
2
2
1
3
2
2
22
2
1
12
464
1
h
B
B
hhh
B
B
EE
−++
−
==
,
где
, - КМП металлической подложки и составной конструкции, оп-
ределяемые по формуле (6.8);
н
η
к
η
1
2
2
H
H
h =
- относительная толщина испытываемого материала;
1
B
,
B
- жесткости на изгиб металлической линейки и составного образца.
Отношение
1
2
11
m
m
f
f
B
B
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
=
.
Резонансные частоты подложки
и составного образца
1
f
f
, мас-
са подложки
и образца находятся экспериментально.
1
m
m
Фазовый метод. Демпфирующие свойства определяются по величине
сдвига фаз между возбуждающей гармонической силой и деформацией
(перемещением) исследуемого образца. КМП определяется по формуле
ϕ
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
−= tg1η
2
0
2
f
f
,
где
f
, - частота возбуждения и собственная частота колебаний образ-
ца;
0
f
ϕ
- угол сдвига фаз.
144

Страницы