Защита электронных средств от механических воздействий. Теоретические основы. Талицкий Е.Н. - 160 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

уменьшение статической жесткости.
Если задается ограничение на массу конструкции, то максимально
допустимую толщину ДС можно найти из необходимости соблюдения ра-
венства
Hk
Nmm
=
, (7.16)
где
Ν
- допустимый коэффициент увеличения начальной массы конструк-
ции m
H ,
приведенной к единице площади;
m
k
– приведенная к единице площади масса конструкции после нане-
сения ДС.
Выражение (7.16) можно представить в виде
эHэ
mNHmHH
+
ρ
=
+
ρ
+ρ
ρ 112211'
, (7.17)
где ρ
1 ,
ρ
2
- плотность материала несущего и ДС;
m
э
- масса ЭРЭ.
Из (7.17) получим
()
k
HNhH
11
2
1
2
1−
ρ
ρ
=
ρ
, (7.18)
где
K
H
H
H
h
1
1
1
=
.
Если ВП слой нано-
сится, например заливкой
со стороны ЭРЭ (рис. 7.6),
толщина H
2ρ
должна уве-
личиваться, так как часть
объема будет занята ЭРЭ.
Ее можно найти по выра-
жению
б)
Рис. 7.6. Ячейка РЭС без демпфирующего
(а) и с демпфирующим покрытием (б):
1 – плата; 2 – ЭРЭ; 3 – демпфирующее покрытие
б)
а)
a)
,
2
2
S
K
H
H
ρ
=
1(
22 Э
HHH −+
(7.19)
если
, и по вы-
ражению
Э
HH ≤
ρ2
),
S
K
=
ρ
(7.20)
если
Э
HH >
ρ2
160

Страницы