Защита электронных средств от механических воздействий. Теоретические основы. Талицкий Е.Н. - 186 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

186
),,
При первом резонансе и
свободном опирании по контуру
максимальные амплитуды резо-
нансных колебаний
(
y
xw
),(
y
xw
&&
находятся в центре пла-
ты, и поэтому показатели
, будем оп-
ределять для этой точки.
),( yx
w
ξ
),( yx
w
&&
ξ
Собственную частоту ко-
лебаний (СЧК) до применения
ДР можно найти по формуле Ре-
лея-Ритца
,
m
D
2
2
0
a
f
π
α
=
Рис. 7.12. Ячейка ЭС с демпфи-
рующими ребрами:
1 - плата; 2 - ЭРЭ; 3 - демпфирующие
ребра
которую для случая свободного
опирания платы по контуру, ко-
гда
)
2
b1(
22
a+π=α
,
можно привести к виду:
m
D
b
a
a
f )1(
4
2
2
2
0
2
0
+
π
= , (7.56)
где
)1(12
23
ν−= ΕΗD
- цилиндрическая жесткость платы;
Е, ρ, ν - модуль упругости, плотность и коэффициент Пуассона мате-
риала платы.
Выражение для частоты платы с ребрами
получим с использова-
нием энергетического метода, в соответствии с которым максимальные
потенциальная и кинетическая энергии равны. Напишем выражения для
кинетической и потенциальной энергии ребер и платы отдельно.
к
f
Потенциальная энергия изгиба платы определяется по формуле (7.2)
Форму колебаний
),,(
t
y
xw
можно представить в виде:
t
y
xw
t
y
xw
ω
=
cos),(),,(
, (7.57)
где
)
y
,x
(
w
- собственная форма колебаний, равная для случая свободного
опирания прямоугольной платы
b
y
a
x
Wyxw
π
π
= sinsin),(
0
. (7.58)
Максимальной потенциальной энергией плата обладает, когда
1cos =ω
.

Страницы