Электронные приборы СВЧ и квантовые приборы. Тамаров П.Г. - 12 стр.

UptoLike

Составители: 

внутри образца перестает быть стационарным, и в нем возникает ДОС.
Мгновенная картина поля уже не представляет собой, как при постоянном
напряжении, монотонную зависимость, а становится похожей на волну
нарастающей амплитуды. На рис. 6 показана картина распределения
электрического поля в образце, смещенном в область с ДОС,
Рис. 6. Картина распределения электрического поля
Здесь пунктирная кривая соответствует стационарному
распределению поля. Сплошные кривые представляют собой четыре
последовательных распределения поля, взятых с интервалом в 1/4
периода, при наличии высокочастотного сигнала малой амплитуды.
Рассматриваемый режим был открыт Тимом в 1965 году и иногда
называется режимом с движущимся пространственным зарядом,
1.3.3. Доменные режимы работы
Для доменных режимов работы диода Ганна характерно выполнение
58
11
характеризуются стабильным распределением поля и положительным
дифференциальным сопротивлением на постоянном токе.
В динамическом случае, когда к диоду приложено не только
постоянное смещение, но и некоторое малое переменное напряжение с
частотой близкой к пролетной
закон изменения поля
Указанные свойства реализуются в GaAs при
позволяют применять его при создании устойчивых усилителей,
поскольку именно в этом режиме усиление принципиально не может
сопровождаться генерацией, обусловленной периодическим рождением и
исчезновением доменов.
неравенства
Всего таких режимов различают три. Им
- скорость электрона при выходе из зазора резонатора
Из (5) видно, что электроны, входящие в зазор с одной и той же
скоростью V
0
, будут выходить из него с разными скоростями, зависящими
от момента t
1
прохода ими середины промежутка.
где-
коэффициент взаимодействия потока электронов с
полем СВЧ;
Коэффициент при
характеризует глубину изменения скорости
электронов (глубину модуляции скорости) и зависит от отношения
амплитуды переменного напряжения Um к ускоряющему напряжению
и от коэффициента взаимодействия потока и поля М.
- приближенно время пролета электроном середины зазора,
получим
Учитывая, что
- время пролета электроном зазора в поле
СВЧ, а
получаем
угол пролета зазора без учета поля СВЧо скоростью
V
o
),
Заменяя отношение
отношением
из (3) и учитывая, что
Интегрируя это уравнение при начальном условии
в
момент
- время входа электрона в зазор,