Электронные приборы СВЧ и квантовые приборы. Тамаров П.Г. - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

работающего в режиме с разрушением домена, может достигать 13%.
в) Режим с задержкой домена. Этому режиму на рис. 5 соответствует
область 4, ориентировочно лежащая ниже ординаты fL = 7-8*10
6
см*с.
Суммарное напряжение на диоде должно быть меньше порогового, когда
домен исчезает на аноде. Зарождение нового домена задерживается до тех
пор, пока напряжение не возрастет и не превысит порогового значения,
Если зарождение нового домена задерживается на время, равное
времени пролета домена через образец, то колебания тока будут иметь
почти симметричную прямоугольную форму. Резонансная частота
колебательного контура в этом случае должна быть равна половине
пролетной частоты. Теоретическое значение КПД генератора в режиме с
задержкой домена достигает 27%,
1.3.4. Режим ограниченного накопления объемного заряда (ОНОЗ)
В режиме ОНОЗ на диод подается определенное напряжение
смещения и переменное напряжение достаточно высокой частоты и
большой амплитуды. В случае генератора переменное напряжение
создается автоматически его высокодобротной колебательной системой,
При этом скорость изменения поля в образце обеспечивается достаточно
большой; чтобы область значений отрицательной дифференциальной
растет частота генерируемых колебаний.
Очевидно, при уменьшении
Еотр
наведенный ток запаздывает по фазе
относительно напряжения на зазоре, что возможно только при частоте
колебаний, меньшей резонансной частоты резонатора.
расстройки частоты, происходит уменьшение электронной мощности, так
как условия торможения сгруппированного потока электронов
ухудшаются. Уменьшение амплитуды u(t) в свою очередь ухудшает
группирование потока. Вследствие этого генерация колебаний происходит
только в некоторых сравнительно небольших областях значений
9
Следовательно, с ростом напряжения на отражателе вблизи значения
Процесс изменения частоты генератора с помощью изменения
напряжения на отражателе называется электронной перестройкой
частоты отражательного клистрона. Электронная перестройка широко
используется на практике. При отклонении
Еотр
от
кроме
На рис. 5 это условие представлено пунктирной прямой,
ограничивавшей сверху область 3. Учет времени разрушения домена дает
минимальное критическое отношение КПД генератора,
подвижности
на ВАХ пробегалась за малое время и домен не успевал
полностью сформироваться, В этом случае электрическое поле в образце
остается в любой момент времени практически однородным, Напряжение
на диоде просто равно EL, а ток
Таким образом, ВАХ в режиме
ОНОЗ должна иметь тот же вид, что и зависимость средней скорости
дрейфа от напряженности поля. Сам диод в цепи переменного тока будет
при этом играть роль нелинейной проводимости пропорциональной
скорости V(E) ДЛЯ данного двухдоменного полупроводника. Режим
ОНОЗ реализуется соответствующим подбором напряжения, а также
частоты и амплитуды переменного напряжения,
На рис, 7 представлена кусочно-линейная аппроксимация
зависимости средней дрейфовой скорости от напряженности
электрического поля V(E) для GaAs.

Страницы