Электронные приборы СВЧ и квантовые приборы. Тамаров П.Г. - 8 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Максимальный КПД в этом режиме может быть 18+23%.

2. Устройство диода Ганна и генератора на его основе

2.1. Устройство диода Ганна и его типовые параметры

Серийный диод Ганна состоит из герметически запаянного

металлокерамического патрона с расположенным внутри него кристаллом

арсенида галлия GaAs. Его типичное устройство схематически показано

на рис.8. На этом рисунке 1 и 2 соответственно катодный и анодный

выводы диода, 3 - керамическая трубка, 4 - кристалл GaAs, 5 -

токоподводящие катодные проволочки. Анодный стержень 2 выполняет

Как видно из рис. 2, электроны группируются за время

- время

движения среднего электрона, имеющего начальную скорость V0, так как

он проходит зазор в момент времени, когда

Значение

соответствующие режиму ОНОЗ лежат в пределах

Неравенства (20), (21) и (22) можно использовать для нахождения

и кусочно-линейная аппроксимация V(E),

возможных значений фазовых углов

если заданы величины

с учетом (19) получим:

равным

то из условия

Если минимально допустимый коэффициент рассасывания принять

Если максимально допустимый коэффициент нарастания, при

котором еще не может возникнуть домен, принять равным то из

условия

будем иметь

Полученное неравенство ограничивает область режима ОНОЗ со

стороны низких частот. Для исключения возможного накопления заряда за

несколько периодов и образования за счет этого домена необходимо,

чтобы рассасывание превышало нарастание или равнялось ему.