Расчет и проектирование транзисторных передатчиков. Тамаров П.Г. - 30 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

30
при котором b для БМ принимает минимальное значение:
. (3.5)
«Штрих» указывает на то, что рассматриваемая величина (сопротивление,
напряжение, ток) относится к внутреннему контуру БМ или КБМ (рис. 3.3).
При k ››1, b≈10 дБ. Затухание КБМ вдвое меньше, чем БМ, и составляет
около 4 дБ. Ослабление прямого прохождения сигналов с частотами ω
0
и Ω на
выход зависит от точности симметрирования модуляторов (трансформаторов,
диодов) и на практике достигает 30...35 дБ.
Рис. 3.2 Рис. 3.3
Улучшение температурной стабильности БМ и КБМ достигается
стабилизацией значений R'
ДЗ
и R'
ДО
путем подключения термостабильных
резисторов R1 и R2 (рис. 3.4), а R1=(2...5)·R'
ДО
, R2 =
)5...2(
'
ДЗ
R
. Затухание БМ и
КБМ при этом увеличивается на 2...4 дБ.
Выбор режима диодов (и транзисторов, если они используются вместо
диодов, см. рис. 3.4), т. е. амплитуды напряжений на диодах сигналов с
частотами ω
0
и Ω, производится с учетом следующих соображений:
1) для получения большого отношения
ШУМ
U
U
0
ω
, нужно брать возможно
больше;
2) для получения малых нелинейных искажений нужно выбирать малое
значение отношения
O
U
U
ω
'
'
Ω
и, следовательно, возможно большее
значение U
ω0
;
b
20
log
π
k
1
+
k
1
−
⋅
.
'R
'R
k
ДО
ДЗ
=
U
Ω

Страницы