Расчет и проектирование транзисторных передатчиков. Тамаров П.Г. - 31 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

31
3) напряжение на закрытых диодах U'
ДЗ
в раз больше, чем на
открытых. Если тип диодов уже выбран, то нужно выполнить
неравенство
U'
ДЗ
<U'
Д.обр
, где U'
Д.обр
—постоянное обратное напряжение диодов.
При проектировании БМ и КБМ задаются: полоса частот
информационного сигнала F
макс
-F
мин
, частота несущего колебания,
коэффициент нелинейных искажений и допустимое затухание b
доп
. Весь
процесс проектирования можно разделить на следующие этапы.
1. Выбирают схему модулятора (БМ КБМ) по заданным параметрам
(условие обязательного применения КБМ: b
доп
≤ 9 дБ).
2. Выбирают тип диодов или диодных сборок: высокочастотные;
U'
Д.обр
≥50-70 В; проходная емкость С = 1…1,5 пФ; R'
ДО
- возможно
меньше;
R'
ДЗ
> 300..500 кОм. (Д2Е, Д2Ж, Д9Е, Д9ж, КДС525В или др.).
3. Определяют по характеристикам или измерением R'
ДЗ
и R'
ДО
при
е
д
= -1 и +1 В. Выбирают R1 и R2 и определяют значения:
k
Рис. 3.5
Рис. 3.4
;
)RR(
RR
'R
2ДЗ
2ДЗ
ДЗ
=
;RR'R
1ДОДО
+=
);'R'R'R'R
ДОДЗПГ
==

Страницы