Расчет и проектирование транзисторных передатчиков. Тамаров П.Г. - 55 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

55
Продолжение прил. А.
Задаваясь ρ =500 Ом; Q
xx
= 100, т.е.
δ
хх
= 1/ Q
xx
= 0,01 и X
2
= – 5 Ом,
находим:
X
1
= – 5.0,025= – 200 Ом;
р=
4,0
500
200
=
;
X
3
= – (–200–5)=205 Ом;
X
L3
=
ρ
=500 Ом;
X
C3
=205–500= – 295 Ом.
По найденным сопротивлениям X нетрудно вычислить элементы
контура C
1
C
2
, С
3
и L
3
, причем значения емкостей С
1
, С
2
необходимо
выбирать с учетом паразитных реактивностей транзистора.
8.
Наименьшее затухание нагруженного контура:
δ
н
=
1/Q
H
, при работе
АГ на нагрузку с бесконечным входным сопротивлением (G
H
= 0)
найдем из выражения для общего случая (т. е. и для
G
н
≠
0):
δ
н
= р
2
G
кэ
ρ
+ р
2
G
H
ρ
+
δ
хх
(А.2).
где
G
кэ
= G
а1
+ К
2
G
a2
+ (1 + К
2
) G
а3
— приведенная к точкам
коллектор
–
эмиттер проводимость потерь в транзисторе;
δ
хх
= l / Q
xx
— затухание ненагруженного контура;
G
H
— проводимость нагрузки, пересчитанная к точкам «коллектор
–
эмиттер» (величина, обратная пересчитанному входному
сопротивлению каскада, следующего за АГ);
G
a1
= G
a22
+ G
a12
;
G
a2
= G
a11
+ G
a12
;
G
a3
= –G
a12
— вещественные составляющие проводимостей
транзистора в П-образной схеме замещения [19, с.132 ... 134 и
137,138].
Учитывая, что в данном случае:
G
a1
= 0, G
а2
=S
б
γ
1
(
θ
) =1,73 мСм, G
a3
=0,
получим
G
KЭ
=К
2
G
a2
≈
0,001 мСм
.
При G
H
= 0,
δ
н
≈
0,0101 и Q
H
≈
99, т.е. добротность контура из-
за шунтирования транзистором фактически не уменьшилась. Зна-
чит, генератор можно нагрузить, сделав G
H
≈
0. Допустим снижение
добротности G
H
, например, до 80. т. е.
δ
н
= 0,0125. Из (А.2)
найдем:
G
H
=
(
)
()
031,0
5004,0
500104,001,00125,0
2
62
=
⋅
⋅⋅−−
−
мСм
или
R
н
= 1/ G
H
=32 кОм

Страницы