Расчет и проектирование транзисторных передатчиков. Тамаров П.Г. - 62 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

62
Продолжение прил. Б.
R
1
= 50 Ом; С
о
= 5 пФ; Q
KР
=
1
11
R
L
⋅ω
= 10
5
;
допустимая мощность рассеяния на резонаторе Р
КР.
ДОП
= 2 мВт.
Выбираем [19, с. 170]
а
≈
1,0
P
P
KP
H
=
,
где Р
кр
— мощность, рассеиваемая на КР.
Находим
τ
0
=ω
1
С
о
R
1
=2·
π
·60·10
6
5·10
-
12·50
≈
0,1
,
где
ω
1
=2
π
f
1
и
f
1
=
()
11
CL2
1
π
, a f
1,
L
1
и C
1
— частота последовательного
резонанса и динамические реактивные сопротивления КР на n-й гармонике.
Мощность рассеяния на резонаторе:
P
КР
≈
1
1,0
1,0
a
P
H
==
мВт. Поскольку
P
КР
< P
КР.ДОП
,расчет можно
продолжать.
Выбираем транзистор ГТ311.
Его параметры:
f
s
= 65 МГц;
допустимый ток коллектора I
к.макс
= 50 мА;
Р
к.
макс
= 150 мВт;
Е
кэ.макс
= 12 В;
Е
ОТС
= 0,3 В;
выбираем Е
кэ
≤
(0,4... 0,5), Е
кэ.макс
= 5 В и амплитуду импульсов тока
коллектора I
КМ
≤
0,5 I
к.макс
= 10 мА.
Определяем S
1
= Sγ
1
(
θ
), где S – крутизна аппроксимированной
статической характеристики транзистора при i
к
= 0,5 I
КМ
. Получим
[19,с. 163] S = 0,127 А/В. Выберем
)(
1
θγ
= 0,2, т. е.
θ
= 60
о
.
При этом S
1
= 0,0254 А/В.
Нормированная
по
f
S
частота колебаний:
Ω
S
=
92,0
65
60
f
f
s
==
.
Учитывая соотношения (в соответствии с рис. Б.3) [19, с. 171... 173]
χ
=
2
э1
C
C
= i
2
КМ
γ
1
(
θ
)[
2
P
КР
S(1- cos
θ
)
2
(1 + а)]
-1
,
C
1 Э
=
ω
1
-1
{[
χ
S
1
(1+2
0
τ
S
Ω
)R
1
-1
(1+a)
-1
(1+
S
Ω
)
-1
]
-0,5
–ω
1
С
0
},
получаем
χ
=0,01
2
·0,2[2·10
-3
·0,127·0,5
2
·1,1]
-1
≈
0,29 и
C
1 Э
=(2
π
·60·10
6
)
-1
{[0,29·0,0254(1+0,2·0,92)·50
-1
×
×
1,1
-1
·(1+0,92
2
)]
0,5
–
2
π
60·10
6
·5·10
-12
}=20,7 пФ
.

Страницы