Расчет и проектирование транзисторных передатчиков. Тамаров П.Г. - 63 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

63
Продолжение прил. Б.
71
29,0
7,20
1
3
===
χ
Э
C
C
пФ.
Сопротивления
Х
1
=
()
5,128
C
1
э11
−=
⋅ω
−
Ом
;
Х
2
=
()
2,37
C
1
21
−=
⋅ω
−
Ом
.
Индуктивность
L
2
и емкость С
3
определяем из условия
1+
ω
1
2
L
2
С
3
< п
2
(п
–
2)
2
, где
n
и
(n
–
2)
— номера выбранной для
возбуждения и ближайшей низшей нечетной гармоники.
Принимая
ω
1
2
L
2
С
3
= 2
, из выражения
С
1Э
= С
3
[1
–
(
ω
1
2
L
2
С
3
)
-1
],
находим
С
3
= 20,7 ( 1
–
0,5)
-1
= 41,4
пФ.
При известном С
3
определяем
L
2
=
(
)
()
3
2
1
32
2
1
C
CL
⋅ω
⋅⋅ω
=2(2
π
·60·10
4
)
-2
·(41,4·10
-12
)
-1
=0,34 мкГн.
Относительная разница между частотами
f
и
f
1
:
()
()
[]
()( )
[]
{}
()
.10763,0
102
54,1
Q2R11X2
R1X
f
ff
f
f
5
5
KP1S010
1S1
1
1
1
−
⋅=
−
=
−Ωτ+χ+τ
Ω+χ+
≈
−
≈
∆
Для точной настройки КГ необходимо одну из емкостей (С
2
или С
3
)
выполнить полупеременной (±30%).
Режим работы транзистора:
I
К0
=
0
α
(
θ
)i
KM
= 2,2 мА;
I
К1
=
1
α
(
θ
)i
KM
= 3,9 мА;
амплитуда напряжения на базе,В,
U
Б
=
()()()
.2,0
2,00254,0
10
S
i
2
11
КМ
≈
⋅
=
θ⋅γ⋅
−
Амплитуда напряжения на коллекторе, В,
U
КЭ
=
()
,
cosI
P2
kКI
1
ϕ⋅
где
cos
к
ϕ
= [1 + (S
1
X
2
+
S
Ω
)
2
]
-0,5
= 0,998
,
U
КЭ
= 2·1,1·10
-3
/(0,0039·0,998) = 0,56.
Мощности, подведенная к коллекторной цепи и рассеиваемая на
коллекторе:
Р
о
= I
КО
Е
КЭ
= 11
мВт;
Р
к
= Р
о
– Р
1
= 9,9 мВт <
МАКСК
Р
.
.
Постоянная составляющая тока базы
I
БО
=
044,0
I
0
KO
=
β
мА
.

Страницы