ВУЗ:
Составители:
15
Рис. 1.6. Связь между направлением растяжения, плоскостью скольжения
и направлением скольжения
Из приведенной на рис. 1.6 схемы можно расчитать критическое
напряжение сдвига:
= sin cos . (1.1)
Произведение sin cos называется коэффициентом Шмида
или
коэффициентом ориентации
. Критическое напряжение сдвига можно считать
точной количественной характеристикой предела упругости монокристалла.
В кристаллических системах с несколькими системами скольжения закон
Шмида определяет систему скольжения, в которой критическое напряжение
сдвига достигается раньше. Четко выраженная зависимость от направления
скольжения важных свойств в отдельном кристаллите быстро стирается в
беспорядочно ориентированном поликристалле.
Экспериментально было установлено,
что при пластической деформации
возникают ступеньки скольжения, но структура решетки сохраняется, и таким
образом происходит смещение вдоль кристаллографической плоскости
скольжения. В идеальном кристалле для этого было бы необходимо преодолеть
напряжение сдвига, необходимое для одновременного перемещения всех
атомов одной его плоскости на параметр решетки. Представления о том, что
сдвиг одновременно охватывает всю
площадь плоскости скольжения, не
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »
