ВУЗ:
Составители:
18
относительно небольшое количество атомов в плоскости скольжения
принимает участие в сдвиге;
- во-вторых, разрушение реальных кристаллов при столь малых внешних
нагрузках происходит из-за наличия в них дефектов кристаллического
строения, в которых и достигаются пиковые напряжения, сравнимые с
теоретической прочностью.
Еще в 20-х годах прошлого столетия А. Гриффитc предположил, а
вскоре
А. Ф. Иоффе, С. Н. Журков и А. П. Александров экспериментально
подтвердили, что относительно малая прочность хрупких материалов (ионные
кристаллы, стекло) является следствием наличия в их объеме и на поверхности
микроскопических трещин, из-за которых напряжение разрушения падает до
очень низкого уровня по сравнению с теоретически предсказанной. Стравливая
поверхностные
дефекты в образцах кристаллов NaCl, стеклянных нитей,
оказалось возможным достигать прочности, близкой к теоретически
рассчитанной. Возможность существования линейного дефекта,
перемещающегося в плоскости скольжения и отделяющего области, где
произошел сдвиг в плоскости скольжения и не произошел, впервые рассмотрел
У. Делингер. А в 1934 году М. Поляни, Е. Орован и Г. Тейлор независимо друг
от
друга ввели представления о дислокациях в кристаллическом твердом теле.
1.2. Свойства и взаимодействие дислокаций
Виды дислокаций. Большое влияние на пластичность и прочность
металлических материалов оказывают линейные дефекты – дислокации. На
рис. 1.8 показана краевая дислокация внутри кристалла. Лишняя неполная
плоскость А, искажающая порядок кристаллической решетки называется
экстраплоскостью, а нижний край экстраплоскости – дислокационной
линией.
Мерой искаженности кристаллической решетки, обусловленной присутствием в
ней дислокации, является вектор Бюргерса b. Чтобы оценить степень
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 16
- 17
- 18
- 19
- 20
- …
- следующая ›
- последняя »
