Теория и практика повышения надежности и работоспособности конструкционных металлических материалов. Терентьев В.Ф - 21 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

перпендикулярно линии дислокации. В результате сравнительно небольших

перемещений атомов вблизи дислокации, последняя под воздействием

напряжения сдвига передвигается через решетку (рис. 1.11, а, б). При выходе

дислокации на противоположную поверхность кристалла образуется единичная

ступенька скольжения (рис. 1.11, в), а дислокация исчезает. При этом контур

Бюргерса А на рис. 1.12, в огибает участок металла с

неискаженной

кристаллической решеткой. Низкие напряжения течения, определенные

экспериментально, легко объяснить на основе модельного представления о

дислокации.

Рис. 1.11. Схема движения дислокации

Рис. 1.12. Пространственная схема последовательного перемещения краевой

дислокации через кристалл.

А – контур Бюргерса на участке кристалла с неискаженной решеткой

Размножение дислокаций. В 1948 г. Р. Хайнденрайх и В. Шокли

обнаружили, что полосы скольжения в алюминиевом образце состоят из ряда