ВУЗ:
Составители:
26
Рис. 1.17. Линии дислокаций в элементе объема (контуры сетки дислокаций)
Рис. 1.18. Дислокационная структура железа после циклического деформирования ( 15 000)
Второй способ определения плотности дислокации осуществляются при
использовании электронной микроскопии тонких пленок «на просвет». В этом
случае также необходимо учитывать, что при утонении массивных кристаллов
до тонких пленок (100-200 нм) возможен выход из объема части дислокации.
При плотностях дислокаций, превышающих 10
10
см
-2
, электронномик-
роскопический метод непригоден. В этих случаях обычно для оценки
плотности дислокации в кристаллах используют рентгенографические методы.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 24
- 25
- 26
- 27
- 28
- …
- следующая ›
- последняя »
