ВУЗ:
Составители:
27
Плотность дислокаций в кристаллах зависит от многих обстоятельств.
Нитевидные кристаллы («усы») могут быть бездислокационными, или с одной
винтовой дислокацией роста. В сильно деформированных металлах (ковкой,
прокаткой) плотность дислокаций достигает 10
11
см
-2
. В тонких осажденных
пленках возможно образование плотности дислокаций до 10
12
см
-2
, т. е.
практически близкой к предельно возможной плотности дислокаций в
кристаллах.
Сила Пайерлса – Набарро. Чтобы краевая дислокация могла двигаться в
кристалле, свободном от дефектов, необходимо приложить минимальное
(критическое) касательное напряжение. При этом напряжении дислокация
преодолевает потенциальный барьер, разделяющий соседние атомы
кристаллической решетки. Сила необходимая для этого перемещения
дислокации называется силой
Пайерлса – Набарро. Поскольку эта сила
определяется свойствами решетки, то говорят о силах трения в решетках.
Учитывая, что сила, действующая на единицу длины дислокаций f = b можно
для силы Пайерлса – Набарро написать: f
п
= b
п
, где b – вектор Бюргерса, а
п
–
минимальное касательное напряжение, необходимое для скольжения
дислокации в совершенном кристалле (напряжение Пайерлса – Набарро).
Полные и частичные дислокации. В кристаллах с простой кубической
решеткой дислокации имеют вектора Бюргерса по величине равные одному из
трансляционных векторов решетки, т. е. а<100>, а<110>, а<111>. Смещение
дислокации и всей решетки вдоль этих направлений на соответственно
одно
или многократную величину а 2 или а3 не изменяет расположения атомов по
узлам кубической решетки. Поэтому такие дислокации называются
единичными или дислокациями единичной мощности. В принципе возможны
дислокации, у которых вектор Бюргерса в целое число раз больше единичного.
Такие дислокации называются дислокациями п - кратной мощности или
супердислокациями. На рис
. 1.19, а, б схематично изображены краевые
дислокации единичной и двукратной мощности.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- …
- следующая ›
- последняя »
