ВУЗ:
Составители:
60
скольжения, развивающихся по одной системе плоскостей; дислокации
беспрепятственно перемещаются в плоскости скольжения, и значительная часть
их может выходить на поверхность.
Рис. 2.5. Типичная кривая напряжение–деформация для монокристалла
с ГЦК-решеткой:
0
,
2
и
3
– напряжения, соответствующие началу стадий I, II и III
Средняя плотность дислокаций на стадии легкого скольжения 10
8
см
-2
(исходная плотность дислокаций в отожженных ГЦК-кристаллах составляет
10
6
-10
8
см
-2
). При анализе процессов пластической деформации нельзя
ограничиться лишь общей плотностью дислокаций, а необходимо учитывать
такие параметры дислокационной структуры, как распределение дислокаций,
соотношение их краевых и винтовых компонентов, длину пробега дислокаций,
а также коэффициент их размножения.
Стадия линейного упрочнения связана с активизацией источников
дислокаций во второй системе скольжения. Линии скольжения на
этой стадии
короче и расположены менее регулярно, чем на стадии I. При деформации на
стадии II возникают сплетения диполей и дислокаций леса в результате чего с
ростом деформации образуется нерегулярная сетка дислокаций. Плотность
дислокаций достигает 10
10
см
-2
. Зависимость напряжения течения от плотности
дислокаций по теории Тейлора выражается формулой:
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 58
- 59
- 60
- 61
- 62
- …
- следующая ›
- последняя »
