ВУЗ:
Составители:
46
По углу наклона участка графика СД можно определить величину запрещенной
зоны E
З
. А угол наклона участка графика АВ позволяет определить расстояние
между донорными уровнями и дном зоны проводимости для n- типа ( или
расстояние между акцепторными уровнями и потолком валентной зоны для
р- типа).
p-n переход
Основой работы многих полупроводниковых приборов является p-n
переход. Это тонкий слой на границе между полупроводниками с разным
типом проводимости. Рассмотрим физические процессы, возникающие в p-n
переходе.
В p-области дырки являются основными носителями тока, электроны
неосновными, т.к. концентрация электронов в p-области ничтожно мала ( она
обусловлена лишь малой собственной проводимостью германия). В n-области,
напротив, электроны являются основными носителями, а дырки неосновными.
При контакте p- и n-областей происходит встречная диффузия свободных
носителей. Дырки из p-области устремляются в n-область ( и там
рекомбинируют с электронами), а электроны из n-области устремляются в
p-область ( и там рекомбинируют с дырками). Электрон, попав p-область,
занимает вакантное место в ковалентной связи. В результате свободные
электрон и дырка исчезают, и образуется нейтральный атом германия. Такой
процесс называется рекомбинацией.
В p- области из-за ухода дырок образуется отрицательный объемный заряд
неподвижных ионизированных акцепторов, а в n-полупроводнике из-за ухода
электронов образуется положительный объемный заряд неподвижных
ионизированных доноров. Эти объемные заряды образуют на границе двойной
электрический слой: p-область заряжается отрицательно, n-область –
положительно ( рис.2.5). Возникающее при этом электрическое поле
E
r
,
направленное от «+» к «–», препятствует дальнейшим переходам электронов в
p-область, а дырок – в n-область. Это поле, препятствующее движению
основных носителей, называется запирающим. Заметим, что для неосновных
носителей это поле не является запирающим.
n
p
[
E
l
Рис.2.5. p-n переход
По углу наклона участка графика СД можно определить величину запрещенной
зоны EЗ. А угол наклона участка графика АВ позволяет определить расстояние
между донорными уровнями и дном зоны проводимости для n- типа ( или
расстояние между акцепторными уровнями и потолком валентной зоны для
р- типа).
p-n переход
Основой работы многих полупроводниковых приборов является p-n
переход. Это тонкий слой на границе между полупроводниками с разным
типом проводимости. Рассмотрим физические процессы, возникающие в p-n
переходе.
В p-области дырки являются основными носителями тока, электроны
неосновными, т.к. концентрация электронов в p-области ничтожно мала ( она
обусловлена лишь малой собственной проводимостью германия). В n-области,
напротив, электроны являются основными носителями, а дырки неосновными.
При контакте p- и n-областей происходит встречная диффузия свободных
носителей. Дырки из p-области устремляются в n-область ( и там
рекомбинируют с электронами), а электроны из n-области устремляются в
p-область ( и там рекомбинируют с дырками). Электрон, попав p-область,
занимает вакантное место в ковалентной связи. В результате свободные
электрон и дырка исчезают, и образуется нейтральный атом германия. Такой
процесс называется рекомбинацией.
В p- области из-за ухода дырок образуется отрицательный объемный заряд
неподвижных ионизированных акцепторов, а в n-полупроводнике из-за ухода
электронов образуется положительный объемный заряд неподвижных
ионизированных доноров. Эти объемные заряды образуют на границе двойной
электрический слой: p-область заряжается отрицательно, n-область –r
положительно ( рис.2.5). Возникающее при этом электрическое поле E ,
направленное от «+» к «–», препятствует дальнейшим переходам электронов в
p-область, а дырок – в n-область. Это поле, препятствующее движению
основных носителей, называется запирающим. Заметим, что для неосновных
носителей это поле не является запирающим.
E
n p
[
l
Рис.2.5. p-n переход
46
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 44
- 45
- 46
- 47
- 48
- …
- следующая ›
- последняя »
