Физика. Часть 4. Атомная физика. Терлецкий И.А - 47 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ДВФУ | Владивосток

Составители: 

Рубрика: 

47
Таким образом, на границе p-n перехода достигается равновесие: движение
основных носителей, обладающих достаточной энергией для преодоления
запирающего электрического поля, компенсируется движением неосновных
носителей, и результирующий ток равен нулю.
Толщина слоя p-n перехода составляет 10
-6
-10
-7
м. Так как двойной
электрический слой образуется неподвижными зарядами, то он характеризуется
повышенным сопротивлением.
I
U
Рис.2.6. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
Сопротивление запирающего слоя можно изменить с помощью внешнего
электрического поля. Если на p-область подать плюс от внешнего источника
тока, а на n-область минус ( прямое подключение), то направление внешнего
поля будет противоположно направлению поля запирающего слоя, что
приводит к уменьшению величины запирающего поля. Это вызовет движение
электронов в n-полупроводнике и дырок в p-полупроводнике к границе p-n
перехода навстречу друг к другу. В результате толщина запирающего слоя,
обедненного носителями, и его сопротивление уменьшается. Количество
основных носителей, преодолевших запирающее поле, возрастает
(интенсивность движения неосновных носителей не изменяется), и
электрический ток проходит через p-n переход.
Если на p-область подать минус, а на n-область – плюс ( обратное
подключение), то направление внешнего поля совпадет с направлением поля
запирающего слоя. Это вызовет движение электронов в n-полупроводнике и
дырок в p-полупроводнике от границы p-n перехода в противоположные
стороны. В результате толщина запирающего слоя еще больше увеличится и
его сопротивление возрастет. В этом направлении электрический ток через p-n
переход практически не проходит. Вклад в него дают лишь неосновные
носители, концентрация которых очень мала, движением основных носителей
можно пренебречь. Таким образом, p-n переход обладает односторонней
проводимостью. Вольт-амперная зависимость p-n перехода, т.е. зависимость
силы тока от приложенного внешнего напряжения, представлена на рисунке
2.6. 
    Таким образом, на границе p-n перехода достигается равновесие: движение
основных носителей, обладающих достаточной энергией для преодоления
запирающего электрического поля, компенсируется движением неосновных
носителей, и результирующий ток равен нулю.
    Толщина слоя p-n перехода составляет 10 -6-10-7 м. Так как двойной
электрический слой образуется неподвижными зарядами, то он характеризуется
повышенным сопротивлением.
                                      I




                                                    U



              Рис.2.6. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода


     Сопротивление запирающего слоя можно изменить с помощью внешнего
электрического поля. Если на p-область подать плюс от внешнего источника
тока, а на n-область минус ( прямое подключение), то направление внешнего
поля будет противоположно направлению поля запирающего слоя, что
приводит к уменьшению величины запирающего поля. Это вызовет движение
электронов в n-полупроводнике и дырок в p-полупроводнике к границе p-n
перехода навстречу друг к другу. В результате толщина запирающего слоя,
обедненного носителями, и его сопротивление уменьшается. Количество
основных носителей,       преодолевших     запирающее   поле,   возрастает
(интенсивность движения неосновных носителей не изменяется), и
электрический ток проходит через p-n переход.
     Если на p-область подать минус, а на n-область – плюс ( обратное
подключение), то направление внешнего поля совпадет с направлением поля
запирающего слоя. Это вызовет движение электронов в n-полупроводнике и
дырок в p-полупроводнике от границы p-n перехода в противоположные
стороны. В результате толщина запирающего слоя еще больше увеличится и
его сопротивление возрастет. В этом направлении электрический ток через p-n
переход практически не проходит. Вклад в него дают лишь неосновные
носители, концентрация которых очень мала, движением основных носителей
можно пренебречь. Таким образом, p-n переход обладает односторонней
проводимостью. Вольт-амперная зависимость p-n перехода, т.е. зависимость
силы тока от приложенного внешнего напряжения, представлена на рисунке
2.6.

                                      47

Страницы