ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
4
РПД МЭ 2СД.11 - 2002
4 Цель и задачи дисциплины
4.1 Целью дисциплины является научить студентов анализу влияния дефектов на
свойства реального кристалла и структур на его основе, методам изучения дефектов и
методам получения бездефектных кристаллов с заданными свойствами.
4.2 В результате изучения дисциплины студент должен:
• иметь представление об основных видах точечных и протяженных дефектов структуры и
их влиянии на электрофизические и механические свойства материалов;
• знать перспективные методы выращивания бездефектных кристаллов и эпитаксиальных
структур, а также наиболее эффективные методы наблюдения дефектов, в зависимости от
структуры кристалла;
• уметь целенаправленно выращивать кристаллы с заданными свойствами, исследовать,
рассчитывать и применять эти кристаллы.
• иметь навыки расчета сложных дислокаций и дислокационных реакций в
различных
структурах, в том числе в гранецентрированных.
5 Место дисциплины в учебном процессе
Дисциплина относится к циклу специальных дисциплин.
Изучение данной дисциплины базируется на следующих дисциплинах: Материалы
и элементы электронной техники, Физика, Оптоэлектроника, Физика твердого тела,
Физическая химия и кристаллография, Технология материалов, Технология
полупроводниковых приборов и ИМС.
6 Сводные данные об
основных разделах дисциплины и распределении часов
по видам занятий
Количество часов занятий
аудиторных
Уровни
изучения
Название раздела
лекцион
ных
Практи-
ческих
занятий
Лабора-
торных
самостоя-
тельных
Введение. 1 2 А1
Механические свойства реальных
кристаллов
2 5 В12
Атомные нарушения структуры
кристалла.
2 9 В2
Дислокации.
8 10 10 В1
Рост кристаллов.
3 7 6 АВ2
Заключение
1 2 В1
7 Лекции
Введение Влияние дефектов на свойства кристаллов и параметры изделий из них. Место
дисциплины в учебном процессе и в будующей специальности.
Раздел 1 Механические свойства реальных кристаллов. Пластическая деформация.
Механическое двойникование. Спайность и твердость.
РПД МЭ 2СД.11 - 2002 4 Цель и задачи дисциплины 4.1 Целью дисциплины является научить студентов анализу влияния дефектов на свойства реального кристалла и структур на его основе, методам изучения дефектов и методам получения бездефектных кристаллов с заданными свойствами. 4.2 В результате изучения дисциплины студент должен: • иметь представление об основных видах точечных и протяженных дефектов структуры и их влиянии на электрофизические и механические свойства материалов; • знать перспективные методы выращивания бездефектных кристаллов и эпитаксиальных структур, а также наиболее эффективные методы наблюдения дефектов, в зависимости от структуры кристалла; • уметь целенаправленно выращивать кристаллы с заданными свойствами, исследовать, рассчитывать и применять эти кристаллы. • иметь навыки расчета сложных дислокаций и дислокационных реакций в различных структурах, в том числе в гранецентрированных. 5 Место дисциплины в учебном процессе Дисциплина относится к циклу специальных дисциплин. Изучение данной дисциплины базируется на следующих дисциплинах: Материалы и элементы электронной техники, Физика, Оптоэлектроника, Физика твердого тела, Физическая химия и кристаллография, Технология материалов, Технология полупроводниковых приборов и ИМС. 6 Сводные данные об основных разделах дисциплины и распределении часов по видам занятий Количество часов занятий аудиторных Уровни Название раздела лекцион Практи- Лабора- самостоя- изучения ных ческих торных тельных занятий Введение. 1 2 А1 Механические свойства реальных 2 5 В12 кристаллов Атомные нарушения структуры 2 9 В2 кристалла. Дислокации. 8 10 10 В1 Рост кристаллов. 3 7 6 АВ2 Заключение 1 2 В1 7 Лекции Введение Влияние дефектов на свойства кристаллов и параметры изделий из них. Место дисциплины в учебном процессе и в будующей специальности. Раздел 1 Механические свойства реальных кристаллов. Пластическая деформация. Механическое двойникование. Спайность и твердость. 4