ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
5
РПД МЭ 2СД.04 - 2002
Раздел 2 Точечные дефекты.
Атомные нарушения структуры кристалла. Классификация дефектов структуры. Точечные
дефекты. Центры окраски. Влияние точечных дефектов не свойства кристаллов.
Образование точечных дефектов.
Раздел 3 Дислокации.
Понятие дислокации. Краевая и винтовая дислокации. Основные особенности дислокаций.
Контур и вектор Бюргерса. Плотность дислокаций. Движение дислокации. Сила
действующая на дислокацию. Энергия дислокации. Дислокационные реакции. Частичные
дислокации. Дефекты упаковки. Дислокации в реальных кристаллах. Дислокации в
структурах алмаза и сфалерита. Дислокация в структуре каменной соли. Дислокации в
гексагональных плотноупакованных кристаллах Дислокации в кристаллах со структурой
вюрцита. Поле напряжений дислокации. Взаимодействие дислокаций друг с другом и с
точечными дефектами. Методы наблюдения дислокаций. Метод избирательного травления.
Метод фотоупругости. Электронная микроскопия и рентгеновские методы. Метод
рентгеновской топографии.
Раздел 6 Рост кристаллов.
Зарождение кристаллов. Основные представления о росте кристаллов. Равновесная форма
кристаллов. Реальные формы роста кристаллов. Макроскопические дефекты кристаллов.
Закономерные сростки и двойники.
Заключение. Перспективные методы получения бездефектных кристаллов и
эпитаксиальных слоев.
8 Практические занятия
Не предусмотрены
9 Лабораторные занятия
Основные темы:
1. Изучение методов наблюдения дислокаций.
2. Изучение дислокаций в структуре алмаза с помощью тетраэдра Томпсона.
3. Изучение макроскопических дефектов в кристаллах.
10 Семинарские занятия
Не предусмотрены
11 Курсовой проект (работа)
Не предусмотрены.
12 Методические материалы (инструкции и методические указания по
проведению занятий, методические указания для студентов для выполнения курсовых работ,
проектов, лабораторных работ и т.д.)
РПД МЭ 2СД.04 - 2002
Раздел 2 Точечные дефекты.
Атомные нарушения структуры кристалла. Классификация дефектов структуры. Точечные
дефекты. Центры окраски. Влияние точечных дефектов не свойства кристаллов.
Образование точечных дефектов.
Раздел 3 Дислокации.
Понятие дислокации. Краевая и винтовая дислокации. Основные особенности дислокаций.
Контур и вектор Бюргерса. Плотность дислокаций. Движение дислокации. Сила
действующая на дислокацию. Энергия дислокации. Дислокационные реакции. Частичные
дислокации. Дефекты упаковки. Дислокации в реальных кристаллах. Дислокации в
структурах алмаза и сфалерита. Дислокация в структуре каменной соли. Дислокации в
гексагональных плотноупакованных кристаллах Дислокации в кристаллах со структурой
вюрцита. Поле напряжений дислокации. Взаимодействие дислокаций друг с другом и с
точечными дефектами. Методы наблюдения дислокаций. Метод избирательного травления.
Метод фотоупругости. Электронная микроскопия и рентгеновские методы. Метод
рентгеновской топографии.
Раздел 6 Рост кристаллов.
Зарождение кристаллов. Основные представления о росте кристаллов. Равновесная форма
кристаллов. Реальные формы роста кристаллов. Макроскопические дефекты кристаллов.
Закономерные сростки и двойники.
Заключение. Перспективные методы получения бездефектных кристаллов и
эпитаксиальных слоев.
8 Практические занятия
Не предусмотрены
9 Лабораторные занятия
Основные темы:
1. Изучение методов наблюдения дислокаций.
2. Изучение дислокаций в структуре алмаза с помощью тетраэдра Томпсона.
3. Изучение макроскопических дефектов в кристаллах.
10 Семинарские занятия
Не предусмотрены
11 Курсовой проект (работа)
Не предусмотрены.
12 Методические материалы (инструкции и методические указания по
проведению занятий, методические указания для студентов для выполнения курсовых работ,
проектов, лабораторных работ и т.д.)
5
