Полупроводниковые приборы. Элементная база. Юрк О.Д - 15 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

Таблица 3.2
U
cu
= 1 B U
cu
= 2 B U
cu
= 3 B
U
зu
, B I
c
, mA U
зu
, B I
c
, mA U
зu
, B I
c
, mA
3.3.5 Исследовать статические характеристики транзистора МДП с
изолированным затвором и каналом n – типа (КП305Е), для чего повторить
пп. 3.3.1 – 3.3.4
Примечание: включение транзистора КП305Ж: напряжение на стоке
положительное относительно истока, на затворе - отрицательное или
положительное. Данные наблюдения заносят в таблицы 3.3 и 3.4
I
c
= f(U
сu
) при U
зu
= const, транзистор типа КП305Ж.
Таблица 3.3
U
зu
= 0 B U’
зu
= -1 B U’’
зu
= -2 B U’’
зu
= 1.5 B
U
cu
, B I
c
, mA U
cu
, B I
c
, mA U
cu
, B I
c
, mA U
cu
, B I
c
, mA
Примечание: Изменение полярности включения затвора производят с
помощью переключателя «Полярность входного напряжения».
Таблица 3.4
U
cu
= 1 B U
cu
= 2 B U
cu
= 3 B
U
зu
, B I
c
, mA U
зu
, B I
c
, mA U
зu
, B I
c
, mA
3.3.6 Рассчитать в рабочей области характеристик параметры полевых
транзисторов. Расчет можно произвести по уравнениям:
Крутизна передаточной характеристики:
зиС
UIS
∆
∆
=
, при U
cu
= const.
Внутреннее сопротивление транзисторов:
CCU
IUr
∆
∆
=
, при U
зu
= const.
Коэффициент усиления транзисторов:
ЗИCU
UU
∆
∆
=
µ
, при I
с
= const.
Входное сопротивление:
ЗВХBХ
IUR
=
, при U
cu
= const.
Примечание: R
вх
считать не нужно. Оно равно 1 – 10 МОм.
Эти параметры определяются графически, нахождением соответствующих
приращений, т.е. методика определения дифференциальных параметров по
левого транзистора совпадает с методикой определения ламповых параметров.
3.3.7 Проверить правильность расчета параметров S,r,µ по формуле:
rS ⋅=
µ
.
3.4 Содержание отчета
3.4.1 Справочные параметры полевых транзисторов и схему исследования
характеристик транзисторов.
3.4.2 Таблицы проведенных измерений.
3.4.3 Графики стоковых и передаточных зависимостей исследованных
полевых транзисторов.
3.4.4 Сравнение вычисленных и справочных параметров транзисторов.
15
    Таблица 3.2
             Ucu = 1 B                                  Ucu = 2 B                                 Ucu = 3 B
    Uзu, B                Ic, mA               Uзu, B               Ic, mA               Uзu, B               Ic, mA



    3.3.5 Исследовать статические характеристики транзистора МДП с
изолированным затвором и каналом n – типа (КП305Е), для чего повторить
пп. 3.3.1 – 3.3.4
    Примечание: включение транзистора КП305Ж: напряжение на стоке
положительное относительно истока, на затворе            - отрицательное или
положительное. Данные наблюдения заносят в таблицы 3.3 и 3.4
    Ic = f(Uсu) при Uзu = const, транзистор типа КП305Ж.

    Таблица 3.3
        Uзu = 0 B                       U’зu = -1 B                  U’’зu = -2 B                     U’’зu = 1.5 B
  Ucu, B         Ic, mA            Ucu, B         Ic, mA        Ucu, B          Ic, mA            Ucu, B         Ic, mA



   Примечание: Изменение полярности включения затвора производят с
помощью переключателя «Полярность входного напряжения».

    Таблица 3.4
             Ucu = 1 B                                  Ucu = 2 B                                 Ucu = 3 B
    Uзu, B                Ic, mA               Uзu, B               Ic, mA               Uзu, B               Ic, mA



    3.3.6 Рассчитать в рабочей области характеристик параметры полевых
транзисторов. Расчет можно произвести по уравнениям:
    Крутизна передаточной характеристики: S = ∆ I С ∆U зи , при Ucu = const.
    Внутреннее сопротивление транзисторов: r = ∆ U CU ∆I C , при Uзu = const.
     Коэффициент усиления транзисторов: µ = ∆U CU ∆U ЗИ , при Iс = const.
    Входное сопротивление: RBХ = U ВХ I З , при Ucu = const.
    Примечание: Rвх считать не нужно. Оно равно 1 – 10 МОм.
    Эти параметры определяются графически, нахождением соответствующих
приращений, т.е. методика определения дифференциальных параметров по
левого транзистора совпадает с методикой определения ламповых параметров.
    3.3.7 Проверить правильность расчета параметров S,r,µ по формуле:
µ = S ⋅r .

3.4 Содержание отчета
    3.4.1 Справочные параметры полевых транзисторов и схему исследования
характеристик транзисторов.
    3.4.2 Таблицы проведенных измерений.
    3.4.3 Графики стоковых и передаточных зависимостей исследованных
полевых транзисторов.
    3.4.4 Сравнение вычисленных и справочных параметров транзисторов.
                                                                                                                          15

Страницы