Полупроводниковые приборы. Элементная база. Юрк О.Д - 13 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

2) эффект управления сводится к изменению сопротивления
проводящего канала;
3) управляющее электрическое поле направлено перпендикулярно
выходному току (структура с горизонтальным каналом).
Однако, отметим принципиальную разницу: полевой транзистор с
управляющим p-n переходом ПТУП - это нормально открытый прибор, а МДП-
транзистор с изолированным затвором - нормально закрытый. Отсюда меньше
входное сопротивление у ПТУП меньшем по сравнению с сопротивлением у
МДПТ, меньшее у него и быстродействие. Есть у ПТУП и преимущества:
малый уровень собственных шумов, высокая стабильность параметров во
времени, высокая радиационная стойкость.
3.2 Предварительная подготовка к работе
В процессе подготовки должны быть рассмотрены следующие основные
вопросы:
1) структура полевого транзистора с p-n переходом;
2) различные типы полевых транзисторов;
3) структура МДП-транзистора;
4) отличие между полевыми транзисторами с p-n переходом и МДП-
транзистором;
5) статические характеристики полевых транзисторов;
6) основные параметры полевых транзисторов;
7) достоинства и недостатки полевых транзисторов;
8) применение полевых транзисторов в элементарных схемах.
Рекомендуемая литература
1. Батушев В.А. Электронные приборы.- М.: Выс. школа, 1969 г.Гл. IX, §9.3
2. Гершунский Б.С. Основы электроники.- Киев, 1977 г, Гл. X § 10, 11.
3. Пасынков и др. Полупроводниковые приборы.- М.: Выс. школа, 1966 г.
Описание схемы измерения
В работе исследуются кремниевый полевой транзистор с p-n переходом и
МДП - транзисторы со встроенными индуцированными каналами.
Снятие статических характеристик полевых транзисторов проводится по
схеме, приведенной на рисунке:
V2
mA
V1
R1
4k
-
+
З
C
И
П
R2
470
-
+
Ec
Рисунок 3.2
13
     2) эффект управления сводится к изменению сопротивления
проводящего канала;
     3) управляющее электрическое поле направлено перпендикулярно
выходному току (структура с горизонтальным каналом).
    Однако, отметим принципиальную разницу: полевой транзистор с
управляющим p-n переходом ПТУП - это нормально открытый прибор, а МДП-
транзистор с изолированным затвором - нормально закрытый. Отсюда меньше
входное сопротивление у ПТУП меньшем по сравнению с сопротивлением у
МДПТ, меньшее у него и быстродействие. Есть у ПТУП и преимущества:
малый уровень собственных шумов, высокая стабильность параметров во
времени, высокая радиационная стойкость.

3.2 Предварительная подготовка к работе
    В процессе подготовки должны быть рассмотрены следующие основные
вопросы:
     1) структура полевого транзистора с p-n переходом;
     2) различные типы полевых транзисторов;
     3) структура МДП-транзистора;
     4) отличие между полевыми транзисторами с p-n переходом и МДП-
транзистором;
     5) статические характеристики полевых транзисторов;
     6) основные параметры полевых транзисторов;
     7) достоинства и недостатки полевых транзисторов;
     8) применение полевых транзисторов в элементарных схемах.
Рекомендуемая литература
   1. Батушев В.А. Электронные приборы.- М.: Выс. школа, 1969 г.Гл. IX, §9.3
   2. Гершунский Б.С. Основы электроники.- Киев, 1977 г, Гл. X § 10, 11.
   3. Пасынков и др. Полупроводниковые приборы.- М.: Выс. школа, 1966 г.
    Описание схемы измерения
    В работе исследуются кремниевый полевой транзистор с p-n переходом и
МДП - транзисторы со встроенными индуцированными каналами.
    Снятие статических характеристик полевых транзисторов проводится по
схеме, приведенной на рисунке:
               R1                 C           mA
                           З              П
                                      И                       R2
               4k                                             470
                                                                       -
                                                                       Ec
    -                 V2
                                                    V1
                                                                       +
    +




                               Рисунок 3.2


                                                                            13

Страницы