Полупроводниковые приборы. Элементная база. Юрк О.Д - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

40, 60, 80 mкА). Напряжение U
кэ
изменяют с помощью потенциометра R2 от 0
до 10-15В (для маломощных транзисторов) через 4-2 В.
На основании результатов наблюдений, записанных в таблицах 2.4 и 2.5
строят семейства входных и выходных статических характеристик транзистора.
По построенному семейству выходных характеристик транзистора
определяют значение коэффициента усиления по току (β=∆I
к
/∆I
б
).
Входное сопротивление транзистора (R
вх
) находят из входных
характеристик (R
вх
=∆U
бэ
/∆I
б
).
2.4 Содержание отчета
2.4.1 Точное название работы .
2.4.2 Таблицы основных данных исследуемого транзистора .
2.4.3 Схемы для снятия характеристик транзистора .
2.4.4 Таблицы наблюдений.
2.4.5 Графики входных статических характеристик транзистора,
включенного по схеме с ОБ и ОЭ.
2.4.6 Графики выходных статических характеристик транзистора,
включенного по схеме с ОБ и ОЭ.
2.4.7 Рассчеты h-параметров, коэффициента усиления по току и входного
сопротивления транзистора с ОБ и ОЭ.
2.4.8 Краткие выводы.
2.5 Контрольные вопросы
2.5.1 Перечислите основные режимы работы транзисторов .
2.5.2 Какие факторы определяют усилительные свойства транзистора?
2.5.3 Какими отличительными особенностями характеризуются три схемы
включения транзистора ?
2.5.4 Какие существуют семейства статических характеристик транзистора?
2.5.5 Перечислите h - параметры транзистора, объясните их физический
смысл и способ их экспериментального определения.
2.5.6 В чем состоит отличие управления током коллектора транзистора от
управления анодным током электронной лампы ?
2.5.7 Почему процесс усиления по току осуществляется в схеме включения
транзистора с общей базой
2.5.8 Как влияет величина напряжения на участке коллектор - эмиттер на
положение входной статической характеристики транзистора ?
2.5.9 Чем объяснить увеличение входного сопротивления транзистора по
схеме с общей базой?
3 Лабораторная работа №3. Исследование полевых транзисторов
Цель работы: изучение характерных свойств полевых транзисторов и
ознакомление с методикой измерения их основных характеристик и параметров
11
40, 60, 80 mкА). Напряжение Uкэ изменяют с помощью потенциометра R2 от 0
до 10-15В (для маломощных транзисторов) через 4-2 В.
    На основании результатов наблюдений, записанных в таблицах 2.4 и 2.5
строят семейства входных и выходных статических характеристик транзистора.
    По построенному семейству выходных характеристик транзистора
определяют значение коэффициента усиления по току (β=∆Iк /∆Iб).
    Входное сопротивление транзистора (Rвх) находят из входных
характеристик (Rвх=∆Uбэ/∆Iб).

2.4 Содержание отчета
   2.4.1 Точное название работы .
   2.4.2 Таблицы основных данных исследуемого транзистора .
   2.4.3 Схемы для снятия характеристик транзистора .
   2.4.4 Таблицы наблюдений.
   2.4.5 Графики входных статических характеристик транзистора,
включенного по схеме с ОБ и ОЭ.
   2.4.6 Графики выходных статических характеристик транзистора,
включенного по схеме с ОБ и ОЭ.
   2.4.7 Рассчеты h-параметров, коэффициента усиления по току и входного
сопротивления транзистора с ОБ и ОЭ.
   2.4.8 Краткие выводы.

2.5 Контрольные вопросы
   2.5.1 Перечислите основные режимы работы транзисторов .
   2.5.2 Какие факторы определяют усилительные свойства транзистора?
   2.5.3 Какими отличительными особенностями характеризуются три схемы
включения транзистора ?
   2.5.4 Какие существуют семейства статических характеристик транзистора?
   2.5.5 Перечислите h - параметры транзистора, объясните их физический
смысл и способ их экспериментального определения.
   2.5.6 В чем состоит отличие управления током коллектора транзистора от
управления анодным током электронной лампы ?
   2.5.7 Почему процесс усиления по току осуществляется в схеме включения
транзистора с общей базой
   2.5.8 Как влияет величина напряжения на участке коллектор - эмиттер на
положение входной статической характеристики транзистора ?
   2.5.9 Чем объяснить увеличение входного сопротивления транзистора по
схеме с общей базой?


    3 Лабораторная работа №3. Исследование полевых транзисторов

    Цель работы: изучение характерных свойств полевых транзисторов и
ознакомление с методикой измерения их основных характеристик и параметров
                                                                        11

Страницы