Полупроводниковые приборы. Элементная база. Юрк О.Д - 10 стр.

UptoLike

неизменными. Напряжение U
бк
изменяют с помощью потенциометра R2 от 0 до
10-15 В через 1-2 В. Данные заносят в таблицу 2.3.
Таблица 2.3 - Выходные статические характеристики транзистора I
э
=f(U
кб
)
при I
э
=const Транзистор типа……
I
э
=……, mkA I’
э
=……, mkA I’’
э
=……, mkA I’’’
э
=……, mkA
U
кб
, B I
к
, mA U
кб
, B I
к
, mA U
кб
, B I
к
, mA U
кб
, B I
к
, mA
На основании результатов наблюдений, записанных в таблице 2.2 и 2.3
строят семейства входных и выходных статических характеристик
исследуемого транзистора, а по ним определяют h- параметры (h11 и h12)
методом характеристического треугольника.
Параметры h21 и h22 определяют по выходным характеристикам тем же
методом.
2.3.2 Снятие характеристик и определение параметров транзистора по
схеме с общим эмиттером
Схема для снятия характеристик транзистора с ОЭ приведена на рис. 2.3.
Для ее включения необходимо поставить переключатель включений в положе-
ние " ОЭ " .
Перед снятием входных характеристик заготавливают таблицу наблюдений
(таблица 2.4).
Таблица 2.4 - Входные статические характеристики транзистора I
б
=f(U
бэ
)
при U
кэ
=const Транзистор типа...
U
кэ
=…… , B U’
кэ
=…… , B U’’
кэ
=…… , B
U
бэ
,
mB I
б
,
mkА U
бэ
,
mB I
б
,
mkА U
бэ
,
mB I
б
,
mkА
Входные статические характеристики снимают для трех значений
напряжения U
кэ
(например, для транзистора МП 40 эти напряжения могут быть
равными соответственно 0.5 и 10 В) устанавливаемых потенциометром R2.
Поддерживая каждый раз это напряжение неизменным, изменяют напряжение
между базой и эмиттером U
бк
с помощью потенциометра R1 от 0 до 200 - 300
mВ (для маломощного транзистора) через 20-30 mВ и следят за показаниями
прибора, измеряющего ток базы I
б
(до 200 mкА). Данные заносят в таблицу 2.5.
Таблица 2.5 - Выходные статические характеристики транзистора I
к
=f(U
кб
)
при I
б
=const Транзистор типа ……
I
б
=….. , mkA I’
б
=….. , mkA I’’
б
=….. , mkA I’’’
б
=….. , mkA
U
кэ
, B I
к
, mA U
кэ
, mB I
к
, mA U
кэ
, B I
к
, mA U
кэ
, B I
к
, mA
Выходные статические характеристики снимают для четырех значений тока
базы. Эти значения тока устанавливают потенциометрами R1 и поддерживают
в процессе наблюдений неизменными (например, для транзистора МП 40-0, 20,
10
неизменными. Напряжение Uбк изменяют с помощью потенциометра R2 от 0 до
10-15 В через 1-2 В. Данные заносят в таблицу 2.3.

   Таблица 2.3 - Выходные статические характеристики транзистора Iэ=f(Uкб)
при Iэ=const Транзистор типа……
   Iэ=……, mkA         I’э=……, mkA     I’’э=……, mkA      I’’’э=……, mkA
  Uкб, B    Iк, mA   Uкб, B  Iк, mA   Uкб, B  Iк, mA    Uкб, B   Iк, mA

    На основании результатов наблюдений, записанных в таблице 2.2 и 2.3
строят семейства входных и выходных статических характеристик
исследуемого транзистора, а по ним определяют h- параметры (h11 и h12)
методом характеристического треугольника.
    Параметры h21 и h22 определяют по выходным характеристикам тем же
методом.
    2.3.2 Снятие характеристик и определение параметров транзистора по
схеме с общим эмиттером
    Схема для снятия характеристик транзистора с ОЭ приведена на рис. 2.3.
Для ее включения необходимо поставить переключатель включений в положе-
ние " ОЭ " .
    Перед снятием входных характеристик заготавливают таблицу наблюдений
(таблица 2.4).

   Таблица 2.4 - Входные статические характеристики транзистора Iб=f(Uбэ)
при Uкэ=const Транзистор типа...
     Uкэ=…… , B             U’кэ=…… , B             U’’кэ=…… , B
 Uбэ, mB     Iб, mkА    Uбэ, mB     Iб, mkА    Uбэ, mB      Iб, mkА

   Входные статические характеристики снимают для трех значений
напряжения Uкэ (например, для транзистора МП 40 эти напряжения могут быть
равными соответственно 0.5 и 10 В) устанавливаемых потенциометром R2.
Поддерживая каждый раз это напряжение неизменным, изменяют напряжение
между базой и эмиттером Uбк с помощью потенциометра R1 от 0 до 200 - 300
mВ (для маломощного транзистора) через 20-30 mВ и следят за показаниями
прибора, измеряющего ток базы Iб (до 200 mкА). Данные заносят в таблицу 2.5.

   Таблица 2.5 - Выходные статические характеристики транзистора Iк=f(Uкб)
при Iб=const Транзистор типа ……
 Iб=….. , mkA      I’б=….. , mkA     I’’б=….. , mkA    I’’’б=….. , mkA
 Uкэ, B   Iк, mA    Uкэ, mB Iк, mA    Uкэ, B    Iк, mA   Uкэ, B   Iк, mA

   Выходные статические характеристики снимают для четырех значений тока
базы. Эти значения тока устанавливают потенциометрами R1 и поддерживают
в процессе наблюдений неизменными (например, для транзистора МП 40-0, 20,
                                                                           10