Полупроводниковые приборы. Элементная база. Юрк О.Д - 9 стр.

допустимые электрические параметры некоторых плоскостных транзисторов
типа р-n-р.
    Ориентировочные номиналы элементов схемы
    Е1 = 1 - 5В ; Е2 = 20 - ЗОВ ; R1 и R’1 - низкоомные (несколько десятков
Ом), R1 - грубая, а R’1 - точная регулировка напряжения на участке эмиттер-
база; R2 - потенциометр высокоомный (единицы килоом). Измерительные
приборы подбираются удобным для снятия входных и выходных характе-
ристик: mА1 и mА2 - 30 mА mV - 300 mВ; V - 30 В. Схема для снятия характе-
ристик транзистора с общим эмиттером аналогична схеме, приведенной на рис.
2.2. В этом случае необходимо только потенциометр R1 вывести в крайнее
левое положение (на схеме в крайнее верхнее положение), а напряжение на
участке база - эмиттер регулировать только потенциометром R’1 (рис. 2.3).

   Таблица 2.1 Предельно допустимые параметры некоторых транзисторов.
 Тип тразистора        Наибольший      Наибольшее         Наибольшее      Наибольшее
                  ток коллектора    напряжение между напряжение между      обратное
                         Iк,mА        коллектором и   коллектором    и напряжение между
                                    базой U бк mах ,В эмиттером        эмиттером и базой
  МП 40(П 14)            20                15                 15              15
  МП 41(П 15)            20                15                 15              15
    П 202               2000               45                 55              45
    П 403                10                10                 10               1
   МП 42Б               150                15                 15              0.4


2.3 Выполнение работы
   2.3.1 Снятие характеристик и определение параметров транзистора по
схеме с общей базой
   На стенде транзистор включают в схему ОБ согласно рис. 2.2.
Устанавливают с помощью потенциометра R2 напряжение на участке база-
коллектор Uбк порядка 50-60% от наибольшего значения этого напряжения для
данного транзистора (например, для МП 40 или П 14 эти напряжения могут
быть равными соответственно 0,5 и 10 В), Поддерживая это напряжение
неизмен-ным, изменяют напряжение Uбэ (с помощью R1 и R’1); от 0 до 300-400
mВ через 20-30 mВ). И следят за показаниями миллиамперметра mА1 (ток
эмит-тера). Величина этого тока должна изменяться в пределах, достаточных
для снятия входной характеристики транзистора. Все измеренные значения
заносят в таблицу 2.2.

   Таблица 2.2 - Входные статические характеристики транзистора Iэ=f(Uэб)
при Uкб=const Транзистор типа ….
     U кб =…...... , B      U ` кб = ……… , B      U `` кб = …….. , B
   Uэб , B     I э , mA    U эб , B    I э , mA  U эб , B    I э , mA

   Входные статические характеристики снимают для четырех значений тока
эмиттера (0,100,150,200 мкА). Эти значения тока устанавливают
потенциометрами R1 и R’1 и поддерживают в процессе наблюдений
                                                                                           9