Полупроводниковые приборы. Элементная база. Юрк О.Д - 8 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

достаточно просто осуществляется экспериментально, поскольку указанные
режимы близки к режимам работы транзистора в реальных схемах.
2.2 Предварительная подготовка к работе
Перед выполнением лабораторной работы студент должен познакомиться
с основными положениями теории по изучаемому вопросу, сделать конспект и
ответить на контрольные вопросы.
Рекомендуемая литература
1 Батушев В.А. Электронные приборы .- М.:Высшая школа , 1969.
2 Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы.- М.:Высшая школа,
1966.
3 Гершунский Б.С. Основы электроники.- Киев , 1977.
Схемы исследования транзистора
Схема для снятия характеристик транзистора с ОБ приведена на рис. 2.2
(полярность источников питания показана для транзистора типа р-n-р), с ОЭ на
рисунке 2.3.
Рисунок 2.2
Рисунок 2.3
Все элементы данной схемы собраны на отдельном стенде, позволяющем
включить в любом варианте: ОБ, ОЭ, ОК. Для этого достаточно с помощью
гнёзд и штырьков осуществить соответствующее соединение, согласно рис. 2.2
и рис. 2.3.
Для набора элементов схемы необходимо знать допустимые значения токов
и напряжений исследуемого транзистора. В таблице 2.1 приведены предельно
8
достаточно просто осуществляется экспериментально, поскольку указанные
режимы близки к режимам работы транзистора в реальных схемах.

2.2 Предварительная подготовка к работе
    Перед выполнением лабораторной работы студент должен познакомиться
с основными положениями теории по изучаемому вопросу, сделать конспект и
ответить на контрольные вопросы.

Рекомендуемая литература
   1 Батушев В.А. Электронные приборы .- М.:Высшая школа , 1969.
   2 Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы.- М.:Высшая школа,
1966.
   3 Гершунский Б.С. Основы электроники.- Киев , 1977.
Схемы исследования транзистора
    Схема для снятия характеристик транзистора с ОБ приведена на рис. 2.2
(полярность источников питания показана для транзистора типа р-n-р), с ОЭ на
                                рисунке 2.3.




                                Рисунок 2.2




                                Рисунок 2.3

   Все элементы данной схемы собраны на отдельном стенде, позволяющем
  включить в любом варианте: ОБ, ОЭ, ОК. Для этого достаточно с помощью
гнёзд и штырьков осуществить соответствующее соединение, согласно рис. 2.2
                                и рис. 2.3.
   Для набора элементов схемы необходимо знать допустимые значения токов
и напряжений исследуемого транзистора. В таблице 2.1 приведены предельно
                                                                           8

Страницы