Полупроводниковые приборы. Элементная база. Юрк О.Д - 12 стр.

3.1 Теоретическое введение
    Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, принцип действия
которого основан на полевом эффекте – изменение электропроводимости
поверхностного слоя под действием электрического поля, направленного
перпендикулярно поверхности. Основой приборов, работающих на полевом
эффекте (полевых транзисторов, например) является структура МДП (металл,
диэлектрик, полупроводник).
   Устройство полевого транзистора на основе МДП-структуры показано на
                               рисунке 3.1
                                                       Uc
                                               +       -

                                               Uз
                                                                     сток
                                                       затвор
                               исток       +   -



                                       p           p            p
                        SiO2

                                                            n - Si




                                       Рисунок 3.1

    От биполярного транзистора полевой транзистор отличается:
      1)   принципом действия: в биполярном транзисторе управление
производится входным током, а в полевом транзисторе - входным напряжением
или электрическим полем;
      2) полевой транзистор (это очень важно!) обладает большим входным
напряжением - это сопротивление обратно смещенного p-n перехода;
      3) в полевом транзисторе не используется инжекция неосновных
носителей заряда - отсюда уменьшение рекомбинационных явлений и низкий
уровень шумов (особенно на низких частотах).
    МДП-транзисторы подразделяются на: полевой транзистор с
изолирующим затвором работает на основе появления индуцированного
проводящего канала, т.е. заметный ток стока появляется только при
определенной полярности и определенном значение напряжения на затворе
относительно истока; полевой транзистор с изолирующим затвором-
транзистор со встроенным каналом, изготовляемым технологически.
    Существуют также полевые транзисторы с управляющим p-n переходом.
Сущность которого состоит в изменении площади сечения канала в
соответствии с изменением напряжения между затвором и истоком Uзu. Легко
увидеть, что принципы работы полевых транзисторов с изолированным
затвором и управляющим p-n переходом в основном совпадают:
      1)   цепь управления изолирована от выходной цепи и потребляет
ничтожную мощность управления;
                                                                            12