Полупроводниковые приборы. Элементная база. Юрк О.Д - 2 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ОГУ | Оренбург

Составители: 

Рубрика: 

ББК 32.852я7
Ю-74
УДК 621.382.002.56(07)
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ЭЛЕМЕНТНАЯ
БАЗА
1 Лабораторная работа №1. Исследование
полупроводниковых диодов
Цель работы: изучение наиболее характерных свойств электронно-
дырочного перехода, определяющих характеристики выпрямительного диода и
стабилитрона
1.1 Теоретическое введение
Электронно-дырочный переход (р-n - переход) - это контакт двух
проводников с различным типом проводимости. Изготовляется он обычно из
одного кристалла полупроводника, в котором формируются области с
повышенной концентрацией акцепторной примеси (р - область) и донорной ( n -
область). В зависимости от технологии изготовления существуют различные
переходы, примером могут быть резкий или плавный переходы. В резком
переходе область изменения концентрации примеси значительно меньше
толщины области пространственного заряда, который образуется за счет
диффузии электронов и дырок, а в плавном переходе - обратная ситуация.
Если переход находится в равновесии (внешнее поле равно 0), то его
состояние определяется двумя конкурирующими процессами:
1) диффузия основных носителей - дырок из р - области в n - область и
диффузия электронов в обратном направлении;
2) дрейфом не основных носителей под действием электрического поля
перехода.
В условиях равновесия полный ток через переход (дрейфовый плюс
диффузионный) носителей каждого знака равен нулю .
I а
I
0
0 U
Рисунок 1.1
Полупроводниковый кристалл, в котором сформирован электронно-
дырочный переход и который заключен в корпус с двумя электрическими
выводами, представляет собой p-n переход.
2
ББК 32.852я7
   Ю-74
УДК 621.382.002.56(07)
   ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ЭЛЕМЕНТНАЯ
                  БАЗА
   1     Лабораторная             работа         №1.       Исследование
полупроводниковых диодов

   Цель работы: изучение наиболее характерных свойств электронно-
дырочного перехода, определяющих характеристики выпрямительного диода и
стабилитрона

1.1 Теоретическое введение
   Электронно-дырочный переход (р-n - переход) - это контакт двух
проводников с различным типом проводимости. Изготовляется он обычно из
одного кристалла полупроводника, в котором формируются области с
повышенной концентрацией акцепторной примеси (р - область) и донорной ( n -
область). В зависимости от технологии изготовления существуют различные
переходы, примером могут быть резкий или плавный переходы. В резком
переходе область изменения концентрации примеси значительно меньше
толщины области пространственного заряда, который образуется за счет
диффузии электронов и дырок, а в плавном переходе - обратная ситуация.
   Если переход находится в равновесии (внешнее поле равно 0), то его
состояние определяется двумя конкурирующими процессами:
   1) диффузия основных носителей - дырок из р - области в n - область и
диффузия электронов в обратном направлении;
   2) дрейфом не основных носителей под действием электрического поля
перехода.
   В условиях равновесия полный ток через переход (дрейфовый плюс
диффузионный) носителей каждого знака равен нулю .
                            I       а



           I0              0                 U


                               Рисунок 1.1

   Полупроводниковый кристалл, в котором сформирован электронно-
дырочный переход и который заключен в корпус с двумя электрическими
выводами, представляет собой p-n переход.

                                                                          2

Страницы