Полупроводниковые приборы. Элементная база. Юрк О.Д - 4 стр.

миллиамперметр измеряет сумму токов, проходящих через вольтметр и диод.
Т.к. сопротивления прямо включенного перехода мало по сравнению с
внутренним сопротивлением вольтметра, ток через диод значительно
превышает ток вольтметра, и погрешность измерения тока будет
незначительной. Если по этой же схеме производить измерение обратного тока
диода, то погрешность его измерения будет большой ввиду того, что
сопротивление обратно смещенного перехода очень велико, и ток вольтметра
может в несколько раз превышать ток диода. Поэтому измерение обратного
тока диода следует производить по схеме (рис. 1.2б), для которой существует
некоторая погрешность измерения напряжения на диоде. Однако эта
погрешность очень мала, т.к. падение напряжения на низкоомном
миллиамперметре значительно меньше, чем падение напряжения на диоде.
    При исследовании обратной ветви характеристики стабилитрона от нуля до
Uст следует пользоваться схемой на рисунке 1.2б, а при снятии рабочего
участка, когда ток стабилитрона начинает резко увеличиваться, необходимо
перейти к схеме на рисунке 1.2а, поменяв в ней полярность включения диода.
    Элементы схемы и измерительные приборы в значительной степени
определяются типом исследуемого диода или стабилитрона. В таблицах 1.1 и
1.2 приведены основные параметры некоторых плоскостных диодов и
стабилитронов, получивших широкое применение в электронной аппаратуре.
    Примечание: Значение ЭДС источника постоянного тока, зависит от типа
исследуемого полупроводникового прибора. Однако в большинстве случаев
достаточно прикладывать к диоду в прямом направлении напряжение порядка
1В, а в обратном - порядка 30 - 40В.

   Таблица 1.1 - Основные данные плоскостных полупроводниковых диодов
   Тип диода        Выпрямленный       Обратный       Наибольшая            Вид          Постоянное
                     ток ( среднее    ток(среднее      амплитуда       полупроводника      прямое
                      значение),       значение),    обратного тока,                     напряжение
                        Iвыпр., А       Iобр., mА      Iобр..max, mА                       более, В
  Д7А-ДЖ               0,1-0,3            0,1           50-400          Германий             0,5
 Д 202-Д 205             0,4              0,5          100-400          Кремний              1,0
 Д226 Б,Г,Д             0,300             0,1       400,300,200,10      Кремний              1,0

       Таблица 1.2 - Основные данные полупроводниковых стабилитронов
Тип стабилитрона      Напряжение        Прямое      Максимальный      Минимальный Дифференцнальн.
                   стабилизации при напряжение при       ТОК              ТОК        сопротивление при
                        I=5MА        токе 50 mА не стабилизации, mА стабилизации, mА     I=5mА не
                                        более,В                                          более, Ом
Д219С-Д220С                            1,0 - 1,5           50
   Д223С
 Д808 - Д813            7-14              1,0            33-20              3,0         6,10,12,15,18
Д814А - Д814Д        7-8, 50 ДО                          40-24              3,0         6,10,12,15,18
                      11, 5-14
Д817 А,Б,В,Г        56,68,82,100                      90,75,60,50         5,5,5,5       52,60,87,75
   Д815                  8,2                              950               50              1,5



                                                                                                        4