Полупроводниковые приборы. Элементная база. Юрк О.Д - 20 стр.

   4.5.5 Как меняется вольт – амперная характеристика триодного тиристора
при изменении напряжения на управляющем электроде?
   4.5.6 Начертите схему включения тиристора, выполняющего роль ключа.
   4.5.7 Начертите схему включения тиристора для определения его
параметров.


   5 Лабораторная работа №5. Исследование фоторезисторов и
фотодиодов

    Цель работы: Исследование характеристик и определение основных
параметров фоторезисторов – полупроводниковых приборов, сопротивление
которых зависит от освещенности, и фотодиодов – фотоэлектрических
полупроводниковых приборов с электронно-дырочным переходом

5.1 Теоретическое введение
    Фотоэлектронные приборы преобразуют лучистую энергию (чаще всего в
видимой части спектра) в электрическую. К фотоэлектронным приборам отно-
сятся электронные, ионные и полупроводниковые фотоэлементы.
    Основными характеристиками фотоэлементов являются световая, спек-
тральная, вольтамперная и частотная.
    В полупроводниковых фотоэлементах используется явление внутреннего
фотоэффекта – изменение электрической проводимости или появление э.д.с.
при воздействии светового излучения на полупроводниковое вещество. К полу-
проводниковым фотоэлементам относятся фоторезисторы, фотогальванические
(вентильные) элементы, фотодиоды и фототранзисторы. Фоторезисторы изго-
тавливаются из одного слоя полупроводника, а фотогальванические элементы,
фотодиоды, фототранзисторы создаются на базе p-n – переходов.
    Фоторезистор является прибором, построенным из полупроводника одной
проводимости.      Достоинствами     фоторезисторов     являются    большая
чувствительность, простота конструкции и использования, что определяет их
применение для регистрации наличия светового потока. К существенным
недостаткам фоторезисторов относятся нелинейность световой характеристики,
большая инерционность, сильная температурная зависимость.
    Фотодиоды – это полупроводниковые диоды с одним p-n – переходом.
Фотодиод фактически включается как резистор, но световое излучение сильнее
влияет на p-n – переход, нежели электрическое поле, поэтому чувствительность
фотодиодов высокая (до 20 mA/лм). Достоинства фотодиодов – высокая
чувствительность, хорошие частотные свойства, малые габариты. Недостаток
сильная температурная зависимость.

5.2 Предварительная подготовка к работе
    Выполнению данной лабораторной работы должно предшествовать
предварительная подготовка теоретического материала.
                                                                          20